[发明专利]空隙检测方法及装置在审
| 申请号: | 202011066110.X | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN112180460A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 秦衡;李碧洲;纪秀范;尹雪露 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(江苏)有限公司 |
| 主分类号: | G01V8/20 | 分类号: | G01V8/20;G01J1/02 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
| 地址: | 214135 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 空隙 检测 方法 装置 | ||
1.一种空隙检测方法,其特征在于,应用于空隙检测装置,所述空隙检测装置包括N个感光芯片,所述N个感光芯片沿第一方向排列,N为大于1的整数,所述方法,包括:
获取所述N个感光芯片采集的N个第一光强值;
比较所述N个第一光强值,获取所述N个第一光强值中最大的M个第一光强值;M为正整数;
确定采集所述最大的M个第一光强值的M个感光芯片的第一位置信息;
根据所述M个感光芯片的第一位置信息获取空隙的第二位置信息。
2.根据权利要求1所述的空隙检测方法,其特征在于,N大于2;所述比较所述N个第一光强值,获取所述N个第一光强值中最大的M个第一光强值,包括:
按照所述N个感光芯片的排列顺序,从首个感光芯片采集的第一光强值开始,依次以从首个感光芯片采集的第一光强值至第N-L+1个感光芯片采集的第一光强值为首,每次获取相邻的L个第一光强值进行比较,得到至少一个最大的第一光强值;L小于N;
当所述N个第一光强值比较完毕后,获得所述N个第一光强值中最大的M个第一光强值。
3.根据权利要求2所述的空隙检测方法,其特征在于,所述根据所述M个感光芯片的第一位置信息获取空隙的第二位置信息,包括:
获取所述最大的M个第一光强值中位置相邻的两个感光芯片采集的两个第一光强值;
获取所述两个第一光强值的第一比值;
根据所述第一比值以及所述位置相邻的两个感光芯片的第一位置信息获取空隙的第二位置信息。
4.根据权利要求1所述的空隙检测方法,其特征在于,所述感光芯片包括发光元件;所述比较所述N个第一光强值之后,还包括:
当所述N个第一光强值相同时,开启所述发光件;
获取所述N个感光芯片采集的N个第二光强值;
比较所述N个第二光强值,获取所述N个第二光强值中最小的M个第二光强值;
确定采集所述最小的M个第二光强值的M个感光芯片的第三位置信息;
根据所述M个感光芯片的第三位置信息获取空隙的第二位置信息。
5.根据权利要求4所述的空隙检测方法,其特征在于,N大于2;所述比较所述N个第二光强值,获取所述N个第二光强值中最小的M个第二光强值,包括:
按照所述N个感光芯片的排列顺序,从首个感光芯片采集的第二光强值开始,依次以从首个感光芯片采集的第二光强值至第N-L+1个感光芯片采集的第二光强值为首,每次获取相邻的L个第二光强值进行比较,得到至少一个最小的第二光强值;L小于N;
当所述N个第二光强值比较完毕后,获得所述N个第二光强值中最小的M个第二光强值。
6.根据权利要求5所述的空隙检测方法,其特征在于,所述根据所述M个感光芯片的第三位置信息获取空隙的第二位置信息,包括:
获取所述最小的M个第二光强值中位置相邻的两个感光芯片采集的两个第二光强值;
获取所述两个第二光强值的第二比值;
根据所述第二比值以及所述位置相邻的两个感光芯片的第三位置信息获取空隙的第二位置信息。
7.根据权利要求1所述的空隙检测方法,其特征在于,所述空隙检测装置还包括散光板,所述散光板位于所述感光芯片上,所述感光芯片的感光方向朝向所述散光板;
相邻两个所述感光芯片之间的间距小于2厘米。
8.根据权利要求7所述的空隙检测方法,其特征在于,相邻两个所述感光芯片之间的间距为1厘米。
9.根据权利要求1所述的空隙检测方法,其特征在于,所述感光芯片的有效数据位为16bits。
10.一种空隙检测装置,其特征在于,包括:
底板;
N个感光芯片,位于所述底板上,且沿第一方向排列,所述N个感光芯片被配置为采集N个第一光强值;N为大于1的整数;
处理芯片,被配置为获取所述N个第一光强值中最大的M个第一光强值,确定采集所述最大的M个第一光强值的M个感光芯片的第一位置信息,根据所述M个感光芯片的第一位置信息获取空隙的第二位置信息,M为正整数。
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