[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有选择开关晶体管；

第一介质层，位于所述基底上，且覆盖所述选择开关晶体管；

鳍式堆叠电容，位于所述第一介质层的上表面，且部分嵌入所述第一介质层内；所述鳍式堆叠电容与所述选择开关晶体管的漏极电连接；

第二介质层，位于所述第一介质层的上表面，且覆盖所述鳍式堆叠电容；

第一金属层，位于所述第二介质层的上表面；所述第一金属层至少包括板线，所述板线与所述鳍式堆叠电容电连接；

第三介质层，位于所述第二介质层的上表面，且覆盖所述第一金属层；

第二金属层，位于所述第三介质层的上表面，所述第二金属层包括位线，所述位线与所述选择开关晶体管的源极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一介质层内形成有若干个电容沟槽；

所述鳍式堆叠电容包括：下电极、电容介质层及上电极；所述下电极覆盖相邻所述电容沟槽之间的所述第一介质层的上表面、所述沟槽阵列外侧的部分所述第一介质层的上表面、所述电容沟槽的侧壁及底部，且与所述选择开关晶体管的漏极电连接；所述电容介质层覆盖所述下电极的上表面；所述上电极覆盖所述电容介质层的上表面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍式堆叠电容的下表面呈齿状或波浪状。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍式堆叠电容自所述漏极的上方延伸至所述选择开关晶体管的栅极的上方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述选择开关晶体管的栅极位于所述第一介质层内，所述电容延伸入所述第一介质层内。

6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底上形成选择开关晶体管；

于所述基底的上表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述选择开关晶体管；

于所述第一介质层的上表面形成鳍式堆叠电容，所述鳍式堆叠电容部分嵌入所述第一介质层内，且与所述选择开关管的漏极电连接；

于所述第一介质层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述鳍式堆叠电容；

于所述第二介质层的上表面形成第一金属层，所述第一金属层至少包括板线，所述板线与所述鳍式堆叠电容电连接；

于所述第二介质层的上表面形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第一金属层；

于所述第三介质层的上表面形成第二金属层，所述第二金属层包括位线，所述位线与所述选择开关晶体管的源极电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述第一介质层的上表面形成鳍式堆叠电容，包括：

于所述第一介质层内形成若干个电容沟槽；

于至少一所述电容沟槽的下方形成第一互连通孔，所述第一互连通孔暴露出所述选择开关晶体管的漏极；

于所述第一互连通孔内形成第一导电插塞；

于所述电容沟槽的侧壁、所述电容沟槽的底部及所述第一介质层的上表面形成下电极材料层；

于所述下电极材料层的上表面形成电容介质材料层；

于所述电容介质层材料层的上表面形成上电极材料层；

去除部分位于所述第一介质层的上表面的所述下电极材料层、所述电容介质材料层及所述上电极材料层，以形成包括由下至上依次叠置的下电极、电容介质层及上电极的所述鳍式堆叠电容。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述下电极材料层之后且形成所述电容介质材料层之前还包括对所得结构进行热处理。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度包括500℃～850℃。