[发明专利]一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备

说明书

本申请公开了一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备，该防护件包括微晶玻璃，微晶玻璃是经过高温离子交换工艺处理后得到的强化微晶玻璃，微晶玻璃包括外层区域和内层区域，外层区域从微晶玻璃的表面开始向微晶玻璃的内部延伸，外层区域的晶体比例小于内层区域的晶体比例；外层晶体比例为：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100；其中，N为外层晶体比例，T为外层区域的深度，T为外层区域中沿深度方向的晶体尺寸的整数倍，T大于0且小于或等于0.1t，t为微晶玻璃的总厚度，t的单位为μm，Nx为内层晶体比例；在室温和频率为0.5～1GHz的条件下微晶玻璃的介电常数为5～7、介电损耗角正切值小于或等于2×10supgt;‑3/supgt;。通过上述方式，本申请能够提高防护件的介电性能。

技术领域

本申请涉及介质材料技术领域，特别是涉及防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备。

背景技术

微晶玻璃又称玻璃陶瓷，是一类晶相与玻璃相结合的复合材料，其具有玻璃和陶瓷的双重特性，具有能透可见光、机械强度高、电绝缘性能优良、介电常数稳定、耐磨、耐腐蚀、热膨胀系数可调等优异的光学性能和物化性能，其在多个领域都得到了广泛应用，如其可用作便携式电子设备如手机、电脑的保护盖板材料。

随着电子技术的发展，屏下指纹识别技术应运而生，其中，基于超声波原理的屏下指纹识别技术是目前应用较多的一种屏下指纹识别方式。利用了超声波具有穿透材料的能力，所使用的超声波频率为0.01MHz～1GHz，但超声波对于玻璃的穿透性并不好，这就要求玻璃具有较高的介电常数和较低的介电损耗。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备，能够提高防护件的介电性能。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种防护件，防护件包括微晶玻璃，微晶玻璃是经过高温离子交换工艺处理后得到的强化微晶玻璃，微晶玻璃包括外层区域和内层区域，外层区域从微晶玻璃的表面开始向微晶玻璃的内部延伸，外层区域的晶体比例小于内层区域的晶体比例；

外层晶体比例为：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100

其中，N为外层晶体比例，T为外层区域的深度，T为外层区域中沿深度方向的晶体尺寸的整数倍，T大于0且小于或等于0.1t，t为微晶玻璃的总厚度，t的单位为μm，Nx为内层晶体比例；

在室温和频率为0.5～1GHz的条件下微晶玻璃的介电常数为5～7、介电损耗角正切值小于或等于2×10^-3。

其中，外层晶体比例为内层晶体比例的30％～99％。

其中，微晶玻璃的表面压应力为140～400MPa。

其中，在室温和频率为2～6GHz的条件下微晶玻璃的介电常数为5.5～7.5、介电损耗角正切值小于或等于3×10^-3。

其中，在室温和频率为24～52GHz的条件下微晶玻璃的介电常数为5.5～8、介电损耗角正切值小于或等于5×10^-3。

其中，微晶玻璃的张应力线密度为20000～40000MPa/mm，应力层深度为100～150μm。

其中，微晶玻璃的维氏硬度为700～745kgf/mm²，断裂韧性为1.2～2.0MPa*m^1/2。

其中，微晶玻璃对360nm波长的光的透过率为85～89％，对500nm波长的光的透过率为90～92％。

其中，内层区域的晶体包括至少两种晶相，至少两种晶相的尺寸不同且相交叉互锁。

其中，内层区域的晶体包括至少两种晶相，至少两种晶相中的至少一种为含碱金属晶相。