[发明专利]一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备

权利要求书

1.一种防护件，其特征在于，

所述防护件包括微晶玻璃，所述微晶玻璃是经过高温离子交换工艺处理后得到的强化微晶玻璃，所述微晶玻璃包括外层区域和内层区域，所述外层区域从所述微晶玻璃的表面开始向所述微晶玻璃的内部延伸，所述外层区域的晶体比例小于所述内层区域的晶体比例；

外层晶体比例为：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100

其中，N为所述外层晶体比例，T为所述外层区域的深度，T为所述外层区域中沿深度方向的晶体尺寸的整数倍，T大于0且小于或等于0.1t，t为所述微晶玻璃的总厚度，t的单位为μm，Nx为内层晶体比例；

在室温和频率为0.5～1GHz的条件下所述微晶玻璃的介电常数为5～7、介电损耗角正切值小于或等于2×10^-3。

2.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述外层晶体比例为所述内层晶体比例的30％～99％。

3.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述微晶玻璃的表面压应力为140～400MPa。

4.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

在室温和频率为2～6GHz的条件下所述微晶玻璃的介电常数为5.5～7.5、介电损耗角正切值小于或等于3×10^-3。

5.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

在室温和频率为24～52GHz的条件下所述微晶玻璃的介电常数为5.5～8、介电损耗角正切值小于或等于5×10^-3。

6.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述微晶玻璃的张应力线密度为20000～40000MPa/mm，应力层深度为100～150μm。

7.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述微晶玻璃的维氏硬度为700～745kgf/mm²，断裂韧性为1.2～2.0MPa*m^1/2。

8.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述微晶玻璃对360nm波长的光的透过率为85～89％，对500nm波长的光的透过率为90～92％。

9.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述内层区域的晶体包括至少两种晶相，所述至少两种晶相的尺寸不同且相交叉互锁。

10.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述内层区域的晶体包括至少两种晶相，所述至少两种晶相中的至少一种为含碱金属晶相。

11.根据权利要求10所述的防护件，其特征在于，

所述内层区域的晶体包括透锂长石、β-石英固溶体、二硅酸锂中的两种或三种。

12.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述内层区域的晶体比例总和高于80wt％。

13.根据权利要求1所述的防护件，其特征在于，

所述微晶玻璃的内层区域包括以摩尔百分比计的60～75％的二氧化硅、15～25％的氧化锂、2～10％的三氧化二铝、0.5～5％的五氧化二磷、0.5～3％的二氧化锆、0～3％的三氧化二硼、0～5％的氧化镁、0～5％的氧化锌、0～3％的氧化钠、0～3％的氧化钾和稀土金属氧化物，其中，所述稀土金属氧化物的含量大于0且小于或等于2％。