[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相间隔的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有堆叠结构，所述第一区域的堆叠结构和第二区域的堆叠结构之间形成有第一开口；

在所述第一开口的侧壁上形成第一介电层，所述第一介电层之间具有第二开口；

在所述第二开口中形成第二介电层；

形成所述第二介电层后，在所述堆叠结构中形成源漏掺杂层和覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，形成沟槽，所述沟槽露出所述源漏掺杂层的顶面和远离所述第二介电层的侧壁；

形成所述沟槽后，去除所述源漏掺杂层和第二介电层之间的所述第一介电层，形成凹槽；

在所述沟槽和凹槽中形成接触插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口的侧壁上形成第一介电层的步骤中，所述第一介电层还形成在所述第一开口的底面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介电层的步骤包括：

形成保形覆盖所述第一开口侧壁和底面的第一介电材料层；

去除所述第一开口底面的所述第一介电材料层，剩余的位于所述第一开口侧壁的所述第一介电材料层作为第一介电层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述第一介电材料层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一开口底面的所述第一介电材料层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述堆叠结构的延伸方向为横向；

形成所述第一介电层的步骤中，所述第一介电层的横向尺寸为3纳米至20纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括：氧化硅和氮氧化硅中的一种或两种。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二开口中形成第二介电层的步骤包括：

形成保形覆盖所述堆叠结构和第二开口的第二介电材料层；

去除露出所述第二开口的所述第二介电材料层，剩余的位于所述第二开口中的所述第二介电材料层作为第二介电层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述第二介电材料层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述堆叠结构的延伸方向为横向；

形成所述第二介电层的步骤中，所述第二介电层的横向尺寸为3纳米至30纳米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介电层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述源漏掺杂层和第二介电层之间的所述第一介电层，形成凹槽。