[发明专利]一种半导体晶圆湿法蚀刻设备

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体、液体箱、控制器、电机、输水管，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，通过清除装置随着池体内部的液体流动沿着隔板表面上下移动，通过刀片将隔板表面的反应物清除，有利于减少反应物附着在池体内部，加快反应物排放，减少反应物随着液体在池体内部流动，有利于处理后的晶圆取出后表面整洁，进一步减少晶圆蚀刻的时间，由于反应物进入到引流槽中后堆积在内壁，易导致引流槽内壁的直径变小，通过推板两侧的移动块与引流槽内壁活动配合，刷板将引流槽内壁的反应物清除，有利于保持引流槽畅通，加快引流槽的液体进入将清除板推动将反应物下推。

技术领域

本发明属于晶圆蚀刻领域，更具体的说，尤其涉及到一种半导体晶圆湿法蚀刻设备。

背景技术

由于半导体的导电性可控制，将半导体晶圆用于集成电路中，为了加强晶圆与集成电路进行集成，通过湿法蚀刻技术将晶圆进行处理，采用湿法蚀刻池加入化学腐蚀液，并将晶圆放入腐蚀液中腐蚀出纹路，腐蚀的反应物则利用液体的推力将漂浮的反应物往边界溶液扩散排放；现有技术中使用湿法蚀刻池对晶圆蚀刻处理的过程中，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，当液体的流动力大时，液体再次将反应物推动掉落混在液体中，反应物随着液体在池体内部流动，致使处理后的晶圆取出后表面沾有反应物，需对晶圆再次清洗，进一步增加晶圆蚀刻的时间。

发明内容

为了解决上述技术使用湿法蚀刻池对晶圆蚀刻处理的过程中，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，当液体的流动力大时，液体再次将反应物推动掉落混在液体中，反应物随着液体在池体内部流动，致使处理后的晶圆取出后表面沾有反应物，需对晶圆再次清洗，进一步增加晶圆蚀刻的时间，本发明提供一种半导体晶圆湿法蚀刻设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体、液体箱、控制器、电机、输水管，所述液体箱安装在池体正面底部，所述控制器位于池体正面中部，所述电机垂直安装在液体箱顶部，所述输水管连接在池体和液体箱之间。

所述池体设有隔板、滑轨、清除装置、滑块、弹簧，所述隔板位于池体内部，所述滑轨凹陷在隔板内侧表面，所述清除装置通过滑块与滑轨活动配合，所述弹簧安装在清除装置两侧与池体内壁之间。

作为本发明的进一步改进，所述清除装置设有引流槽、推板、弹力球、清除板、开口、推块，所述引流槽贯穿清除装置顶部，所述推板位于引流槽内部，所述弹力球夹在引流槽内壁与推板底面之间，所述清除板与推板底端相连接，所述开口贯穿清除装置底面，所述推块夹在清除板中间，所述弹力球分别位于推板下方两侧，所述引流槽内部设有凸起的小铁块，且位于引流槽中下位置。

作为本发明的进一步改进，所述清除板设有侧板、积液槽、连接块、接触板，所述侧板位于清除板右侧，所述积液槽设在清除板内部，所述接触板通过接块与侧板左侧活动配合，所述侧板右侧面设有贯穿的小孔。

作为本发明的进一步改进，所述接触板设有喷孔、刀片、凹槽，所述喷孔贯穿接触板右侧面，所述刀片安装在接触板左侧，所述凹槽凹陷在接触板左侧，且位于刀片之间，所述刀片为凹凸不平的表面。

作为本发明的进一步改进，所述推板设有中间块、推杆、移动块，所述中间块夹在推板内中部，所述推杆贯穿推板两侧与中间块活动配合，所述移动块固定在推杆末端，所述移动块顶部为凹陷状。

作为本发明的进一步改进，所述移动块设有支撑块、震动簧、凸块，所述支撑块位于移动块左侧，所述凸块通过震动簧安装在支撑块右侧面，所述凸块共设有两个。

作为本发明的进一步改进，所述凸块设有支撑板、卡槽、弹块、刷板、卡球，所述支撑板位于凸块左侧，所述卡槽位于凸块内部，所述弹块固定在支撑板右侧，所述刷板位于支撑板右侧，且与弹块活动配合，所述卡球设在卡槽内部，所述弹块为橡胶材质。

有益效果