[发明专利]一种半导体晶圆湿法蚀刻设备

权利要求书

1.一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体(1)、液体箱(2)、控制器(3)、电机(4)、输水管(5)，所述液体箱(2)安装在池体(1)正面底部，所述控制器(3)位于池体(1)正面中部，所述电机(4)垂直安装在液体箱(2)顶部，所述输水管(5)连接在池体(1)和液体箱(2)之间，其特征在于：

所述池体(1)设有隔板(11)、滑轨(12)、清除装置(13)、滑块(14)、弹簧(15)，所述隔板(11)位于池体(1)内部，所述滑轨(12)凹陷在隔板(11)内侧表面，所述清除装置(13)通过滑块(14)与滑轨(12)活动配合，所述弹簧(15)安装在清除装置(13)两侧与池体(1)内壁之间。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述清除装置(13)设有引流槽(a1)、推板(a2)、弹力球(a3)、清除板(a4)、开口(a5)、推块(a6)，所述引流槽(a1)贯穿清除装置(13)顶部，所述推板(a2)位于引流槽(a1)内部，所述弹力球(a3)夹在引流槽(a1)内壁与推板(a2)底面之间，所述清除板(a4)与推板(a2)底端相连接，所述开口(a5)贯穿清除装置(13)底面，所述推块(a6)夹在清除板(a4)中间。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述清除板(a4)设有侧板(s1)、积液槽(s2)、连接块(s3)、接触板(s4)，所述侧板(s1)位于清除板(a4)右侧，所述积液槽(s2)设在清除板(a4)内部，所述接触板(s4)通过接块(s3)与侧板(s1)左侧活动配合。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述接触板(s4)设有喷孔(d1)、刀片(d2)、凹槽(d3)，所述喷孔(d1)贯穿接触板(s4)右侧面，所述刀片(d2)安装在接触板(s4)左侧，所述凹槽(d3)凹陷在接触板(s4)左侧，且位于刀片(d2)之间。

5.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述推板(a2)设有中间块(e1)、推杆(e2)、移动块(e3)，所述中间块(e1)夹在推板(a2)内中部，所述推杆(e2)贯穿推板(a2)两侧与中间块(e1)活动配合，所述移动块(e3)固定在推杆(e2)末端。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述移动块(e3)设有支撑块(r1)、震动簧(r2)、凸块(r3)，所述支撑块(r1)位于移动块(e3)左侧，所述凸块(r3)通过震动簧(r2)安装在支撑块(r1)右侧面。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述凸块(r3)设有支撑板(t1)、卡槽(t2)、弹块(t3)、刷板(t4)、卡球(t5)，所述支撑板(t1)位于凸块(r3)左侧，所述卡槽(t2)位于凸块(r3)内部，所述弹块(t3)固定在支撑板(t1)右侧，所述刷板(t4)位于支撑板(t1)右侧，且与弹块(t3)活动配合，所述卡球(t5)设在卡槽(t2)内部。