[发明专利]显示装置

说明书

提供了显示装置。显示装置包括信号线、第一晶体管、发光元件、第二晶体管、第一扫描线、第三晶体管和第二扫描线，其中，信号线在第一方向上延伸，第一晶体管配置成控制驱动电流，发光元件电联接到第一晶体管的第二电极，第二晶体管电联接到第一晶体管的第一电极并且配置成传输数据电压，第一扫描线电联接到第二晶体管的栅电极并且在第一方向上延伸，第三晶体管包括电联接到第一晶体管的第二电极的第一电极以及电联接到第一晶体管的栅电极的第二电极，并且第二扫描线电联接到第三晶体管的栅电极并且在第一方向上延伸，其中，第二扫描线与选自信号线和第一扫描线之中的一个重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月14日提交的第10-2019-0126756号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。相应地，已使用各种类型(种类)的显示装置，诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置。

在通常可用的显示装置之中，OLED装置包括为自发光元件的有机发光二极管。有机发光二极管可包括两个相对电极和介于它们之间的有机发光层。由两个相对电极提供的电子和空穴在有机发光层中重新结合以生成激子，并且生成的激子从激发态跃迁至基态，从而可发射光。

因为这种OLED装置不需要单独的光源，因此OLED装置不仅可形成为具有低功耗，并且薄且轻量，而且也具有诸如宽视角、高亮度和对比度、快速响应速度和类似的高品质特性，从而作为下一代显示装置受到瞩目。

p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管通常用作OLED装置中的晶体管，但是已对使用n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管或者一起使用PMOS晶体管和NMOS晶体管的OLED装置进行了研究。

发明内容

在一起使用p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的有机发光显示装置中，可利用下部阻光图案以从光遮蔽NMOS晶体管的下部。在这种情况下，PMOS晶体管的栅电极和下部阻光图案可形成在相同的层中，并因此可利用额外的空间以使得针对一个像素可利用更多的空间。因此，可能难以改善分辨率。

应注意，本公开的各方面和特征不限于上述的各方面和特征，并且通过以下的描述，本公开的其它方面和特征对于本领域技术人员而言将是显而易见的。

显示装置的实施方式包括信号线、第一晶体管、发光元件、第二晶体管、第一扫描线、第三晶体管和第二扫描线，其中，信号线在第一方向上延伸，第一晶体管配置成根据施加到第一晶体管的栅电极的电压来控制从第一晶体管的第一电极流向第一晶体管的第二电极的驱动电流，发光元件电联接到第一晶体管的第二电极并且配置成根据驱动电流来发射光，第二晶体管电联接到第一晶体管的第一电极并且配置成传输数据电压，第一扫描线电联接到第二晶体管的栅电极并且在第一方向上延伸，第三晶体管包括电联接到第一晶体管的第二电极的第一电极以及电联接到第一晶体管的栅电极的第二电极，并且第二扫描线电联接到第三晶体管的栅电极并且在第一方向上延伸，其中，第二扫描线与选自信号线和第一扫描线之中的一个重叠。

显示装置的实施方式包括衬底、第一半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二半导体层、第三绝缘层和第二导电层，其中，第一半导体层位于衬底上，第一绝缘层覆盖第一半导体层并且位于衬底上，第一导电层位于第一绝缘层上并且包括在第一方向上延伸的第一扫描线，第二绝缘层覆盖第一导电层并且位于第一绝缘层上，第二半导体层位于第二绝缘层上，第三绝缘层覆盖第二半导体层并且位于第二绝缘层上，并且第二导电层位于第三绝缘层上并且包括在第一方向上延伸的第二扫描线，其中，第一扫描线与第二扫描线重叠。