[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 202011063165.5 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112735331A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 曹永振;罗志洙;文重守;金阳完;陈昌奎 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G09G3/3233;G09G3/3266;H01L27/32
代理公司: 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 代理人: 李晓伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

信号线,所述信号线在第一方向上延伸;

第一晶体管,所述第一晶体管配置成根据施加到所述第一晶体管的栅电极的电压来控制从所述第一晶体管的第一电极流向所述第一晶体管的第二电极的驱动电流;

发光元件,所述发光元件电联接到所述第一晶体管的所述第二电极,并且配置成根据所述驱动电流来发射光;

第二晶体管,所述第二晶体管电联接到所述第一晶体管的所述第一电极,并且配置成传输数据电压;

第一扫描线,所述第一扫描线电联接到所述第二晶体管的栅电极并且在所述第一方向上延伸;

第三晶体管,所述第三晶体管包括电联接到所述第一晶体管的所述第二电极的第一电极以及电联接到所述第一晶体管的所述栅电极的第二电极;以及

第二扫描线,所述第二扫描线电联接到所述第三晶体管的栅电极并且在所述第一方向上延伸,

其中,所述第二扫描线与选自所述信号线和所述第一扫描线之中的一个重叠。

2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管为p型金属氧化物半导体晶体管,并且所述第三晶体管为n型金属氧化物半导体晶体管。

3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述p型金属氧化物半导体晶体管包括多晶硅,并且

所述n型金属氧化物半导体晶体管包括氧化物半导体。

4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二扫描线与所述第一扫描线重叠,

所述第三晶体管包括与所述第二扫描线重叠的沟道区,并且

所述第三晶体管的所述沟道区与所述第一扫描线重叠。

5.如权利要求4所述的显示装置,其中,所述第三晶体管的所述沟道区位于所述第一扫描线与所述第二扫描线之间。

6.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二晶体管包括与所述第一扫描线重叠的沟道区。

7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二晶体管的所述沟道区与所述第二扫描线重叠,并且所述第一扫描线位于所述第二晶体管的所述沟道区与所述第二扫描线之间。

8.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一扫描线在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度大于所述第二扫描线在所述第二方向上的宽度。

9.如权利要求8所述的显示装置,其中,整个所述第二扫描线与所述第一扫描线重叠。

10.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二扫描线与所述信号线重叠,并且所述信号线为传输发光控制信号的发光控制线。

11.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二扫描线与所述信号线重叠,并且所述信号线为传输初始化电压的初始化电压线。

12.如权利要求1所述的显示装置,还包括:

第四晶体管,所述第四晶体管包括电联接到所述第三晶体管的所述第二电极的第一电极;

第三扫描线,所述第三扫描线电联接到所述第四晶体管的栅电极;

第五晶体管,所述第五晶体管电连接到所述第四晶体管的第二电极;以及

第四扫描线,所述第四扫描线电联接到所述第五晶体管的栅电极,

其中,所述第三扫描线和所述第四扫描线在所述第一方向上延伸并且彼此重叠。

13.如权利要求12所述的显示装置,其中,所述第四晶体管包括与所述第三扫描线重叠的沟道区,并且所述第四晶体管的所述沟道区与所述第四扫描线重叠。

14.如权利要求13所述的显示装置,其中,所述第四晶体管的所述沟道区位于所述第三扫描线与所述第四扫描线之间。

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