[发明专利]一种Si/SiOx 在审
| 申请号： | 202011060706.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112331822A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;郑丽华;王连邦;马捷;姜盈盈 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si sio base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种Si/SiOx/G三元复合材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)将质量比为1:0.1～20的Si和SiOx在500r min-1～1000r min-1转速下球磨1h～60h得到Si/SiOx团簇；所述SiOx中，0x≤2；
(2)将质量比1:0.5～20的Si/SiOx团簇与石墨或者中间相碳微球在100r min-1～400rmin-1转速下球磨1h～10h，得到Si/SiOx/G三元复合材料；
两步球磨均在惰性气氛下进行。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Si为硅粉、硅片、光伏硅废料、冶金硅中的一种或几种提纯得到的纯硅单质，纯度99％。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述SiOx为氧化硅、二氧化硅、石英砂、废弃光导纤维中的一种或几种提纯得到的氧化硅材料，纯度99％。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述石墨为天然石墨、人造石墨中的一种或几种。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的惰性气氛为氩气或氮气。
6.一种由权利要求1所述制备方法制得的Si/SiOx/G三元复合材料。
7.如权利要求6所述的Si/SiOx/G三元复合材料作为锂离子电池负极材料的应用。
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