[发明专利]一种半导体沉积设备及半导体设备系统

说明书

本发明提出一种半导体沉积设备及半导体设备系统，包括：传送腔体，所述传送腔体内设置有机械臂；至少一可拆卸腔体，设置在所述传送腔体内的外侧，所述机械臂将基板放置在所述可拆卸腔体内，以在所述基板上沉积薄膜；进气管路，连接所述可拆卸腔体，用于向所述可拆卸腔体内输送气体。本发明提出的半导体沉积设备可以减少相互无尘室受到污染。

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，特别涉及一种半导体沉积设备及半导体设备系统。

背景技术

目前，沉积设备广泛应用在在半导体集成电路制造领域中。随着芯片对设备工艺良率及洁净度的要求越来越高，沉积设备的要求也需逐步优化。

在现有技术中，当薄膜沉积完成之后，需要打开腔体，取出晶圆，但是当打开腔体时，腔体内剩余的重金属粉尘会扩散到无尘室内，造成重金属污染，同时对薄膜也造成影响。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体沉积设备及半导体设备系统，当沉积工作完成之后，可以将该可拆卸腔体拆卸下来，将该可拆卸腔体移动至另一无尘室，然后在取出基板，从而防止重金属粉尘扩散至原来的无尘室内，减少相互无尘室的污染情况。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体沉积设备，包括：

传送腔体，所述传送腔体内设置有机械臂；

至少一可拆卸腔体，设置在所述传送腔体内的外侧，所述机械臂将基板放置在所述可拆卸腔体内，以在所述基板上沉积薄膜；

进气管路，连接所述可拆卸腔体，用于向所述可拆卸腔体内输送气体。

进一步地，所述进气管路通过进气口连接所述可拆卸腔体，所述进气口设置在所述可拆卸腔体的顶部。

进一步地，所述进气管路包括第一进气管路和第二进气管路，所述第一进气管路和所述第二进气管路通过转换接头连接。

进一步地，所述第一进气管路还连接外部气源，所述第一进气管路上设置有第一阀体。

进一步地，所述第二进气管路的一端延伸至所述可拆卸腔体内，所述第二进气管路延伸至所述可拆卸腔体内的一端连接扩散板。

进一步地，所述扩散板上设置多个扩散孔。

进一步地，还包括排气管路，所述排气管路通过排气口连接所述可拆卸腔体，所述排气口设置在所述可拆卸腔体的底部。

进一步地，还包括第二阀体，所述第二阀体设置在所述排气口上。

进一步地，所述可拆卸腔体还包括一基板入口，所述基板入口连接锁紧单元，所述锁紧单元用于锁紧所述基板入口。

进一步地，本发明还提出一种半导体设备系统，包括：

多个半导体设备，其中多个所述半导体设备中的至少一个是半导体沉积设备。

综上所述，本发明提出一种半导体沉积设备及半导体设备系统，该半导体沉积设备包括传送腔体和可拆卸腔体，传送腔体内的机械臂将基板传送或传出可拆卸腔体内，当基板完成沉积作业时，通过关闭第一阀体和第二阀体，从而气源内的气体无法进入可拆卸腔体内，同时可拆卸腔体内的反应气体也无法从排气口内排出，同时通过锁紧单元关闭可拆卸腔体的基板入口，然后将该可拆卸腔体移动至另一无尘室内，打开基板入口，然后取出基板，从而避免造成原来无尘室的重金属污染，然后可以对可拆卸腔体进行保养，然后在将该可拆卸腔体设置在传送腔体的外侧。

附图说明

图1：氮化镓基结构的示意图。

图2：本实施例提出的半导体沉积设备结构示意图。

图3：第一沉积腔体的结构示意图。