[发明专利]一种半导体沉积设备及半导体设备系统在审
申请号: | 202011060031.8 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112267106A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 陈卫军 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶相技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/505;C23C16/34;C23C16/458;C23C16/455;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/06;H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 沉积 设备 半导体设备 系统 | ||
1.一种半导体沉积设备,其特征在于,包括:
传送腔体,所述传送腔体内设置有机械臂;
至少一可拆卸腔体,设置在所述传送腔体内的外侧,所述机械臂将基板放置在所述可拆卸腔体内,以在所述基板上沉积薄膜;
进气管路,连接所述可拆卸腔体,用于向所述可拆卸腔体内输送气体。
2.根据权利要求1所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述进气管路通过进气口连接所述可拆卸腔体,所述进气口设置在所述可拆卸腔体的顶部。
3.根据权利要求1所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述进气管路包括第一进气管路和第二进气管路,所述第一进气管路和所述第二进气管路通过转换接头连接。
4.根据权利要求3所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述第一进气管路还连接外部气源,所述第一进气管路上设置有第一阀体。
5.根据权利要求3所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述第二进气管路的一端延伸至所述可拆卸腔体内,所述第二进气管路延伸至所述可拆卸腔体内的一端连接扩散板。
6.根据权利要求5所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述扩散板上设置多个扩散孔。
7.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,还包括排气管路,所述排气管路通过排气口连接所述可拆卸腔体,所述排气口设置在所述可拆卸腔体的底部。
8.根据权利要求7所述的半导体沉积设备,其特征在于,还包括第二阀体,所述第二阀体设置在所述排气口上。
9.根据权利要求1所述的半导体沉积设备,其特征在于,所述可拆卸腔体还包括一基板入口,所述基板入口连接锁紧单元,所述锁紧单元用于锁紧所述基板入口。
10.一种半导体设备系统,其特征在于,包括:
多个半导体设备,其中多个所述半导体设备中的至少一个是权利要求1所述的半导体沉积设备。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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