[发明专利]一种晶圆蚀刻深孔残留物清理器

说明书

本发明公开了一种晶圆蚀刻深孔残留物清理器，其结构包括底座、升降机、操作台、旋转机、清理器，底座顶面与升降机底面焊接连接，操作台右侧与升降机左侧相叠合在一起，旋转机底面与升降机顶面活动卡合，清理器右侧与旋转机左侧活动卡合，清理器包括吸力机、收纳仓、连接块、插台，收纳仓顶面与吸力机底面固定连接，本发明在进行深孔残留物清理工作时，可以通过锁紧结构完全锁紧硬质管，避免硬质管在抽取过程中有松动等现象对深孔壁产生更严重的划痕，同时在伸入深孔抽取后，上提过程中会不断对孔壁进行摩擦使其恢复光滑，平复硬质管伸入后产生的由于摩擦而形成的创伤，减少对晶圆使用性能的影响。

技术领域

本发明涉及晶圆蚀刻领域，具体的是一种晶圆蚀刻深孔残留物清理器。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，在获得晶圆后，需要在晶圆上进行蚀刻，使其产生多条的槽道和深孔，以满足芯片制造的需求，由于在进行蚀刻过程中会产生一定量的残留物，残留物残留在深孔内可能会对晶圆的正常工作造成不利影响，因此需要使用深孔残留物清理器进行清理，在通过深孔残留物清理器来对深孔内的残留物进行清理时，需要通过一根硬质管伸入，并将残留物抽出，之后再拔出，由于晶圆对光滑度要求非常的高，因此现有技术的深孔清理器在进行清理时，在硬质管插入的过程中，很容易与深孔内壁进行摩擦，使其表面产生如毛刺、刮道等摩擦形成的创伤，会影响晶圆在清理结束之后的使用性能。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种晶圆蚀刻深孔残留物清理器。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆蚀刻深孔残留物清理器，其结构包括底座、升降机、操作台、旋转机、清理器，所述底座顶面与升降机底面焊接连接，所述操作台右侧与升降机左侧相叠合在一起，所述旋转机底面与升降机顶面活动卡合，所述清理器右侧与旋转机左侧活动卡合；所述清理器包括吸力机、收纳仓、连接块、插台，所述收纳仓顶面与吸力机底面固定连接，所述连接块左侧与插台右侧焊接连接，所述收纳仓底面与插台顶面相互接通，所述升降机右侧设有导轨结构。

更进一步的，所述插台包括顶块、旋杆、锁紧结构、轨道、电源、插壳、抛光头，所述锁紧结构通过轨道与顶块内部连接，所述旋杆中段焊接于锁紧结构左侧，所述电源顶面固定安装于顶块底面，所述抛光头嵌入于插壳末段，所述顶块左侧设有带有螺纹孔的凸起块结构。

更进一步的，所述锁紧结构包括螺纹杆、轴承、夹板、凸块、槽口，所述螺纹杆右端通过轴承与夹板左侧活动卡合，所述凸块与夹板右侧为一体化成型，所述槽口与插壳右侧为一体化成型，所述凸块与槽口大小相同。

更进一步的，所述抛光头包括接电缆、擦环、导块、转动叉、磁铁，所述接电缆末端与导块顶面电连接，所述导块底面通过转动叉与擦环顶面连接，所述磁铁固定安装于导块底面，所述磁铁设有八个，每两个磁极相反的磁铁为一组间隙相同地环绕分布于导块底面。

更进一步的，所述擦环包括收集管、旋转层、擦块，所述收集管外环与旋转层内环固定连接，所述擦块内层与旋转层外环焊接连接，所述旋转层内设有多个滚球结构。

更进一步的，所述擦块包括外壳、摩擦层、摩擦加强轮、支撑板、弹簧、撑板，所述摩擦层两侧嵌入于外壳内部，所述摩擦加强轮外环通过支撑板与外壳内层连接，所述弹簧顶面固定安装于撑板底面，所述撑板顶面与摩擦加强轮外环相叠合在一起，所述摩擦层采用二氧化铈材料制作。

更进一步的，所述摩擦加强轮包括弹性壳、触碰块、凸轮、连接环、内轴，所述弹性壳内环与触碰块顶面固定连接，所述内轴外环通过连接环与凸轮内环连接，所述弹性壳采用硅PU材料制造。

有益效果

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：