[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

说明书

本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的第一层叠结构；形成第二层叠结构于所述基底上；对所述第二层叠结构进行刻蚀，以在所述第二层叠结构中至少形成第一沟槽和第二沟槽；对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行填充，以形成填充层，所述填充层的材料包括底部有机材料；形成抗反射层于所述第三氧化层上，形成图案化的光阻层于所述抗反射层上，所述图案化的光阻层的开口位置对应所述第一沟槽和/或所述第二沟槽的位置；刻蚀所述抗反射层、所述第三氧化层和部分所述填充层；移除所述图案化的光阻层、所述抗反射层。本发明提出的半导体结构及其制造方法可以提高光阻层的厚度均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

在半导体制程中，需要对半导体结构进行刻蚀，形成沟槽，然后在对沟槽进行填充，一般选择BARC材料对沟槽进行填充。但是当沟槽的宽度较大时，BARC材料形成的填充层会在沟槽中部凹陷。因此当在该填充层上形成光刻胶时，光刻胶在沟槽中的厚度会增加，由此导致光刻胶的厚度不均匀，同时由于光刻胶的厚度增加，由此也会导致对光刻胶进行曝光时的能量增加。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体结构及其制造方法，以改善填充层的结构，同时还可以减小光刻胶的厚度。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的第一层叠结构；

形成第二层叠结构于所述基底上，所述第二层叠结构依序包括第一氧化层，氮化层和第二氧化层；

对所述第二层叠结构进行刻蚀，以在所述第二层叠结构中至少形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度不同；且所述第一沟槽的宽度与深度的比值大于3:1；

对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行填充，以形成填充层；其中，所述填充层覆盖所述第二层叠结构，且所述填充层的表面为平面，所述填充层的材料包括底部有机材料；

形成第三氧化层于所述填充层上；

形成抗反射层于所述第三氧化层上；

形成图案化的光阻层于所述抗反射层上，所述图案化的光阻层的开口位置对应所述第一沟槽和/或所述第二沟槽的位置；

刻蚀所述抗反射层、所述第三氧化层和部分所述填充层；

移除所述图案化的光阻层、所述抗反射层。

进一步地，所述第一层叠结构包括：

金属层，位于所述衬底上；

界面层，位于所述金属层上；

覆盖层， 位于所述界面层上。

进一步地，形成所述第一氧化层的步骤包括：

将所述基底放置在腔体中；

向所述腔体内通入含硅前驱体和含氧前驱体，并将所述腔体进行加热至400-600℃，以在所述基底上形成所述第一氧化层。

进一步地，通过化学气相沉积，物理气相沉积或原子层沉积工艺形成所述氮化层；其中，所述氮化层的厚度为200-400埃。

进一步地，通过化学气相沉积工艺形成所述第二氧化层；其中，所述第二氧化层的厚度为200-300埃。

进一步地，通过干法刻蚀形成所述第一沟槽和所述第二沟槽；其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同。

进一步地，所述第一沟槽的宽度大于3000埃，所述第一沟槽的深度小于1000埃。