[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的第一层叠结构；

形成第二层叠结构于所述基底上，所述第二层叠结构依序包括第一氧化层，氮化层和第二氧化层；

对所述第二层叠结构进行刻蚀，以在所述第二层叠结构中至少形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度不同；且所述第一沟槽的宽度与深度的比值大于3:1；

对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行填充，以形成填充层；其中，所述填充层覆盖所述第二层叠结构，且所述填充层的表面为平面，所述填充层的材料包括底部有机材料；

形成第三氧化层于所述填充层上；

形成抗反射层于所述第三氧化层上；

形成图案化的光阻层于所述抗反射层上，所述图案化的光阻层的开口位置对应所述第一沟槽和/或所述第二沟槽的位置；

刻蚀所述抗反射层、所述第三氧化层和部分所述填充层；

移除所述图案化的光阻层、所述抗反射层；

其中，所述第一层叠结构包括：

金属层，位于所述衬底上；

界面层，位于所述金属层上；

覆盖层，位于所述界面层上。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一氧化层的步骤包括：

将所述基底放置在腔体中；

向所述腔体内通入含硅前驱体和含氧前驱体，并将所述腔体进行加热至400-600℃，以在所述基底上形成所述第一氧化层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积，物理气相沉积或原子层沉积工艺形成所述氮化层；其中，所述氮化层的厚度为200-400埃。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述第二氧化层；其中，所述第二氧化层的厚度为200-300埃。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀形成所述第一沟槽和所述第二沟槽；其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于3000埃，所述第一沟槽的深度小于1000埃。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成所述填充层。

9.根据权利要求1-8任一所述的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

基底，包括衬底和位于所述衬底上的第一层叠结构，

第二层叠结构，位于所述基底上；所述第二层叠结构依序包括第一氧化层，氮化层和第二氧化层；

第一沟槽，位于所述第二层叠结构中；

第二沟槽，位于所述第二层叠结构中；

填充层，位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中，且覆盖所述第二层叠结构，所述填充层的表面为平面；

第三氧化层，位于所述填充层上；

抗反射层，位于所述第三氧化层上；

至少一开口，位于所述第一沟槽和/或所述第二沟槽上；

其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度不同；且所述第一沟槽的宽度与深度的比值大于3:1；

其中，所述第一层叠结构包括：

金属层，位于所述衬底上；

界面层，位于所述金属层上；

覆盖层，位于所述界面层上。