[发明专利]包括栅极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠在衬底上的多个栅极组；

在穿透所述多个栅极组的沟槽中的结构；以及

在所述多个栅极组的多个垫区域上的多个接触插塞，

其中所述多个栅极组包括第一栅极组和在所述第一栅极组上的第二栅极组，

其中所述沟槽的至少一部分在第一水平方向上延伸，

其中所述第一栅极组包括：

第一下电极；

设置在所述第一下电极上的第一中间电极；以及

第一上电极，其包括第一垫区域并且设置在所述第一中间电极上，其中所述第二栅极组包括：

第二下电极；

设置在所述第二下电极上的第二中间电极；以及

第二上电极，其包括第二垫区域并且设置在所述第二中间电极上，其中所述第一下电极包括：

第一下重叠部分，其在垂直方向上与所述第一中间电极重叠；以及

第一下延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第一中间电极重叠并且从所述第一下重叠部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第一中间电极包括：

第一中间重叠部分，其在所述垂直方向上与所述第一上电极重叠；以及

第一中间延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第一上电极重叠并且从所述第一中间重叠部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第二下电极包括：

第二下重叠部分，其在所述垂直方向上与所述第二中间电极重叠；以及

第二下延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第二中间电极重叠并且从所述第二下重叠部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第二中间电极包括：

第二中间重叠部分，其在所述垂直方向上与所述第二上电极重叠；以及

第二中间延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第二上电极重叠并且从所述第二中间重叠部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述多个接触插塞包括接触所述第一垫区域的第一接触插塞以及接触所述第二垫区域的第二接触插塞，

其中所述第一中间电极和所述第一下电极之间在所述垂直方向上的距离与所述第二中间电极和所述第二下电极之间在所述垂直方向上的距离相同，

其中所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的长度大于所述第一下延伸部分在所述第一水平方向上的长度，以及

其中所述第一垫区域和所述第二垫区域在所述第一水平方向上的长度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述长度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触插塞和所述第二接触插塞的每个在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述长度与所述第二中间延伸部分在所述第一水平方向上的长度的总和，以及

其中所述第二中间延伸部分在所述第一水平方向上的所述长度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述长度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

在所述第一中间电极和所述第一上电极之间的第三中间电极；以及

在所述第二中间电极和所述第二上电极之间的第四中间电极，

其中所述第三中间电极包括：

第三中间重叠部分，其在所述垂直方向上与所述第一上电极重叠；以及

第三中间延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第一上电极重叠并且从所述第三中间重叠部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第四中间电极包括：

第四中间重叠部分，其在所述垂直方向上与所述第二上电极重叠；以及

第四中间延伸部分，其在所述垂直方向上不与所述第二上电极重叠并且从所述第四中间重叠部分在所述第一水平方向上延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一中间延伸部分在所述第一水平方向上的长度大于所述第三中间延伸部分在所述第一水平方向上的长度，以及

其中所述第二中间延伸部分在所述第一水平方向上的长度大于所述第四中间延伸部分在所述第一水平方向上的长度。