[发明专利]包括栅极的半导体器件

说明书

一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。

本申请是针对申请日为2018年7月17日、申请号为201810784256.4、发明名称为“包括栅极的半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明构思的示例性实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括栅极的半导体器件。

背景技术

半导体器件的集成度已不断增加。已经开发了具有三维结构的相对高度集成的半导体器件。

发明内容

本发明构思的一示例性实施方式提供半导体器件，其包括三维布置的垫区域。

本发明构思的一示例性实施方式提供半导体器件，其包括包含其中可防止桥接缺陷的垫区域的栅极。

根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时沿着与第一上电极的上表面正交的方向暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。

根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件包括存储单元区域和接触区域。栅电极设置在衬底的存储单元区域上并延伸到接触区域中。栅电极包括具有字线垫区域的字线、以及设置在字线上并具有上部垫区域的上部栅极线。字线垫区域布置为在从存储单元区域到接触区域同时基本上平行于衬底的上表面的第一方向上具有第一台阶。字线垫区域布置为在垂直于第一方向同时平行于衬底的上表面的第二方向上具有小于第一台阶的第二台阶。在字线当中，位于不同高度处的字线在第一方向上从存储单元区域延伸为具有不同的长度。上部栅极线包括上部垫区域，上部垫区域布置为在第一方向上具有小于第一台阶的第三台阶，并布置为在第二方向上具有相同的高度。

根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件包括第一栅极组，第一栅极组包括在第一方向上延伸并顺序堆叠的第一栅电极。第二栅极组设置在第一栅极组上，并且包括在第一方向上延伸并顺序堆叠的第二栅电极。第一栅电极包括第一下电极和在第一下电极之上的第一上电极。第二栅电极包括第二下电极和在第二下电极之上的第二上电极。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上和另外的特征将变得更加明显，附图中：

图1是根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的示意框图；

图2是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的存储单元阵列的概念电路图；

图3是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的一示例的示意俯视图；

图4是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的一示例的剖视图；

图5是示意性地示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的一部分的纵向剖视图；