[发明专利]平面线圈元件及平面线圈元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 202011032721.2 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN112164546B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 上田宏;三浦宏介;山口贺人;卜部由佳 申请(专利权)人: 住友电工印刷电路株式会社
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F27/32;H01F41/04;H01F41/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 平面 线圈 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种平面线圈元件,其具备:绝缘性基膜,其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面;第一导电图案,其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧;以及第一绝缘层,其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案,

在该平面线圈元件中,

所述第一导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层,

所述芯体具有在所述绝缘性基膜层叠的薄的导电层,

所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5,

所述第一导电图案的平均回路间距大于或等于20μm而小于或等于60μm。

2.根据权利要求1所述的平面线圈元件,其中,

所述第一导电图案中的、所述平均厚度的1/2高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。

3.根据权利要求2所述的平面线圈元件,其中,

所述第一导电图案中的、所述平均厚度的2/3高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。

4.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,

所述第一导电图案的前端部的剖面形状为半圆状。

5.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,

所述芯体及所述扩宽层的主要成分是铜或铜合金。

6.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,

所述绝缘性基膜的主要成分是聚酰亚胺,所述第一绝缘层的主要成分是环氧树脂。

7.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,

还具有:第二导电图案,其层叠于所述绝缘性基膜的第二面侧;

以及第二绝缘层,其从所述第二面侧包覆所述第二导电图案,

所述第二导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层。

8.根据权利要求7所述的平面线圈元件,其中,

还具有通孔,该通孔将所述第一导电图案及所述第二导电图案导通。

9.根据权利要求7所述的平面线圈元件,其中,

所述第一导电图案及所述第二导电图案是相同图案,

所述第一导电图案及所述第二导电图案的中心线的宽度方向偏离量小于或等于所述第一导电图案的平均回路间距的40%。

10.一种平面线圈元件的制造方法,该平面线圈元件具备:绝缘性基膜,其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面;第一导电图案,其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧;以及第一绝缘层,其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案,

在该平面线圈元件的制造方法中,具有下述工序:

通过减成法或半加成法形成所述第一导电图案的芯体的工序;

在所述芯体的外表面通过镀敷而层叠所述第一导电图案的扩宽层的工序,以及

在所述第一导电图案的所述第一面侧包覆绝缘树脂的工序,所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5,

所述第一导电图案的平均回路间距大于或等于20μm而小于或等于60μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电工印刷电路株式会社,未经住友电工印刷电路株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011032721.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top