[发明专利]平面线圈元件及平面线圈元件的制造方法有效
申请号: | 202011032721.2 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN112164546B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 上田宏;三浦宏介;山口贺人;卜部由佳 | 申请(专利权)人: | 住友电工印刷电路株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/32;H01F41/04;H01F41/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 线圈 元件 制造 方法 | ||
1.一种平面线圈元件,其具备:绝缘性基膜,其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面;第一导电图案,其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧;以及第一绝缘层,其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案,
在该平面线圈元件中,
所述第一导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层,
所述芯体具有在所述绝缘性基膜层叠的薄的导电层,
所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5,
所述第一导电图案的平均回路间距大于或等于20μm而小于或等于60μm。
2.根据权利要求1所述的平面线圈元件,其中,
所述第一导电图案中的、所述平均厚度的1/2高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。
3.根据权利要求2所述的平面线圈元件,其中,
所述第一导电图案中的、所述平均厚度的2/3高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。
4.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,
所述第一导电图案的前端部的剖面形状为半圆状。
5.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,
所述芯体及所述扩宽层的主要成分是铜或铜合金。
6.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,
所述绝缘性基膜的主要成分是聚酰亚胺,所述第一绝缘层的主要成分是环氧树脂。
7.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件,其中,
还具有:第二导电图案,其层叠于所述绝缘性基膜的第二面侧;
以及第二绝缘层,其从所述第二面侧包覆所述第二导电图案,
所述第二导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层。
8.根据权利要求7所述的平面线圈元件,其中,
还具有通孔,该通孔将所述第一导电图案及所述第二导电图案导通。
9.根据权利要求7所述的平面线圈元件,其中,
所述第一导电图案及所述第二导电图案是相同图案,
所述第一导电图案及所述第二导电图案的中心线的宽度方向偏离量小于或等于所述第一导电图案的平均回路间距的40%。
10.一种平面线圈元件的制造方法,该平面线圈元件具备:绝缘性基膜,其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面;第一导电图案,其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧;以及第一绝缘层,其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案,
在该平面线圈元件的制造方法中,具有下述工序:
通过减成法或半加成法形成所述第一导电图案的芯体的工序;
在所述芯体的外表面通过镀敷而层叠所述第一导电图案的扩宽层的工序,以及
在所述第一导电图案的所述第一面侧包覆绝缘树脂的工序,所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5,
所述第一导电图案的平均回路间距大于或等于20μm而小于或等于60μm。
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