[发明专利]一种盲孔屏背板结构及制作方法在审
申请号: | 202011031217.0 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112117234A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 李元行;苏智昱;韩正宇;宋安鑫 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/60 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盲孔屏 背板 结构 制作方法 | ||
本发明公开了一种盲孔屏背板结构及制作方法,在基板上制作第一金属层;制作第一绝缘层,第一绝缘层分为盲孔区和非盲孔区,于盲孔区上制作盲孔金属层;制作第一通孔,制作三个第二金属层,制作第三绝缘层,制作平坦层,并蚀刻平坦层形成第二通孔,于平坦层上的非盲孔区制作第三金属层;制作第五绝缘层,蚀刻形成第三通孔、第四通孔、第五通孔、第六通孔和第七通孔;制作像素电极层;蚀刻部分像素电极层。上述技术方案通过制作像素电极层和第二金属层形成导电环,导电环绕设在盲孔区的周围,并通过外部走线的控制和调节,将分解的电子/离子吸引至盲孔边界侧壁的像素电极层上进行中和,减少游离电子/离子向显示区域移动,从而保障了显示品质。
技术领域
本发明涉及盲孔屏技术领域,尤其涉及一种盲孔屏背板结构及制作方法。
背景技术
现随着市场对全面屏的追求,挖孔屏/盲孔屏市场需求强劲;简单理解,通孔和盲孔的区别只是在于摄像头是置于玻璃面板之下,还是置于液晶层之下。从体验角度出发,通孔不影响前置拍摄的质量,其体验和其他手机前置拍摄无异,显然是最佳的相机体验向方案。盲孔虽然在相机体验上次于通孔,但有着成本和良品率优势,因此将可能会成为未来钻孔屏发展的主流趋势。其透光率较低,也可通过制程工艺/设计上的优化,减弱对前摄成品质量的不利影响。对盲孔方案的优化也将会成为各家厂商积极解决的竞争点之一。
现有盲孔方案一般会通过蚀刻对盲孔区域做膜层简化,减少异质膜层界面的数量,提升盲孔区域光的穿透率;进一步,蚀刻方式为干刻,因为等离子体(plasma)具有大板分布差异,存在蚀刻不均造成的片间差异,需严格管控制程工艺。另外,盲孔区域无上下偏光片,若遇到长时间强光直射会产生游离电子/离子,从而影响面板显示品味(残影)。
发明内容
为此,需要提供一种盲孔屏背板结构及制作方法,减少游离电子/离子向显示区域移动,从而保障了显示品质。
为实现上述目的,本申请提供了一种盲孔屏背板结构的制作方法,包括步骤:
在基板上制作第一金属层;
制作第一绝缘层,所述第一绝缘覆盖所述第一金属层;
所述第一绝缘层分为盲孔区和非盲孔区,于所述盲孔区上制作盲孔金属层;所述盲孔金属层穿过所述盲孔区,且两端置于所述非盲孔区上;
制作第一通孔,所述第一通孔以所述第一金属层为底;
制作三个第二金属层,一个所述第二金属层通过所述第一通孔与所述第一金属层连接;另外两个所述第二金属层置于所述盲孔区两侧,并与所述盲孔金属层搭接;
制作第三绝缘层,所述第三绝缘层覆盖所述盲孔金属层和所述第二金属层;
制作平坦层,并蚀刻所述平坦层形成第二通孔,所述第二通孔置于所述盲孔区上;
于所述平坦层上的非盲孔区制作第三金属层;
制作第五绝缘层,所述第五绝缘层覆盖平坦层、第二通孔和第三金属层;
蚀刻形成第三通孔、第四通孔、第五通孔、第六通孔和第七通孔;所述第三通孔以与所述第一金属层连接的第二金属层为底;所述第四通孔和第五通孔均以所述第三金属层为底,且所述第四通孔和第五通孔置于所述第三金属层两侧;所述第六通孔以位于所述盲孔区两侧且靠近所述第一金属层的第二金属层为底;所述第七通孔以所述盲孔金属层为底,且所述第七通孔的开口小于所述第二通孔的开口;
制作像素电极层,所述像素电极层分别通过所述第三通孔、第四通孔、第五通孔和第六通孔与所述第二金属层和第三金属层连接;
蚀刻部分所述像素电极层,同时蚀刻所述第七通孔孔底的所述盲孔金属层。
进一步地,所述第三金属层为透明公共电极或走线层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造