[发明专利]集成电路结构中的金属化

说明书

在本文中公开了与集成电路(IC)结构中的金属化相关的结构、方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括金属区中的第一纳米线和金属区中的第二纳米线。第一纳米线与第二纳米线之间的距离可以小于5纳米，并且金属区可以包括第一纳米线和第二纳米线之间的钨。

背景技术

减小集成电路(IC)结构尺寸的趋势通常受到可靠制造这种结构的技术挑战的阻碍。例如，以小体积沉积金属可能受到颈缩、空隙化和/或粘附问题的限制。

附图说明

通过结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。

图1A-1D是根据各种实施例的集成电路(IC)结构的示图。

图2A-2D、3A-3D、4A-4D、5A-5D、6A-6D、7A-7D、8A-8D、9A-9D、10A-10D、11A-11D、12A-12D、13A-13D和14A-14D是根据各种实施例的在IC结构的不同制造阶段中的组件的示图。

图15A-15D是根据各种实施例的另一IC结构的示图。

图16是根据各种实施例的另一IC结构的侧视截面图。

图17是根据本文公开的任何实施例的可以包括IC结构的晶圆和管芯的顶视图。

图18是根据本文公开的任何实施例的可以包括IC结构的IC器件的侧视截面图。

图19是根据各种实施例的可以包括IC结构的IC封装的侧视截面图。

图20是根据本文公开的任何实施例的可以包括IC结构的IC器件组件的侧视截面图。

图21是根据本文公开的任何实施例的可以包括IC结构的示例性电气设备的框图。

具体实施方式

本文公开了与集成电路(IC)结构中的金属化相关的结构、方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括金属区中的第一纳米线和金属区中的第二纳米线。第一纳米线和第二纳米线之间的距离可以小于5纳米，并且金属区可以包括第一纳米线和第二纳米线之间的钨。

本文所公开的结构、方法和组件可以实现在IC结构中使用金属化，其可以具有比常规方法更高的质量和/或可以相对于常规方法降低金属化制造操作的复杂性。例如，在“NMOS优先”晶体管制造流程中，用于PMOS晶体管的金属化叠层的形成可以包括PMOS功函数金属(例如，氮化钛)的沉积、NMOS功函数金属(例如，碳化铝钛)的沉积、填充衬层(例如，氮化钛)的沉积、以及金属填充物(例如，使用基于氟的原子层沉积(ALD)工艺沉积的钨)的沉积。利用本文所公开的实施例中的一些实施例，可以简化这种晶体管制造流程以包括组合的PMOS功函数金属/填充衬层(例如，使用本文所公开的基于氯的ALD工艺沉积的钨)的沉积，以及随后的金属填充物(例如，使用基于氟的ALD工艺沉积的钨)的沉积。这种简化的制造流程可以减少制造时间和/或降低成本。

在以下具体实施方式中，参考构成其一部分的附图，其中类似的附图标记始终表示类似的部分，并且其中通过例示示出了可以实施的实施例。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下具体实施方式不应被理解为限制性的。

以最有助于理解所公开的主题的方式将多个操作描述为依次的多个分立动作或操作。然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必定是顺序相关的。具体而言，这些操作可以不按照所呈现的顺序执行。所描述的操作可以以不同于所述实施例的顺序执行。在另外的实施例中可以执行多个额外的操作和/或可以省略所描述的操作。