[发明专利]集成电路结构中的金属化

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

金属区中的第一纳米线；以及

所述金属区中的第二纳米线；

其中，所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的距离小于5纳米，并且所述金属区包括所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的钨。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述金属区包括在所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的第一部分，所述金属区包括不在所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的第二部分，并且所述第一部分中的氯与氟的比率小于所述第二部分中的氯与氟的比率。

3.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述金属区的部分中的钨的平均颗粒尺寸小于8纳米。

4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述金属区的部分中的钨的平均颗粒尺寸小于6纳米。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线包括硅或锗。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线具有在4纳米与10纳米之间的厚度。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线具有在5纳米与50纳米之间的宽度。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线、所述第二纳米线和所述金属区是全环栅晶体管的部分。

9.一种集成电路(IC)结构，包括：

金属区中的第一纳米线；以及

所述金属区中的第二纳米线，其中，所述金属区包括在所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的第一部分，并且所述金属区包括不在所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的第二部分；

其中，所述第一部分中的氯与氟的比率小于所述第二部分中的氯与氟的比率。

10.根据权利要求9所述的IC结构，其中，所述金属区包括钨。

11.根据权利要求9所述的IC结构，其中，所述第一纳米线包括硅或锗。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的IC结构，还包括：

在所述金属区中围绕所述第一纳米线的高k材料的第一部分；以及

在所述金属区中围绕所述第二纳米线的高k材料的第二部分。

13.根据权利要求12所述的IC结构，其中，所述高k材料包括铪。

14.根据权利要求9-11中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线、所述第二纳米线和所述金属区是全环栅晶体管的部分。

15.根据权利要求9-11中任一项所述的IC结构，其中，所述金属区包括钼。

16.一种集成电路(IC)结构，包括：

金属区中的第一纳米线；以及

所述金属区中的第二纳米线，其中，所述金属区包括钨并且所述金属区的部分中的钨的平均颗粒尺寸小于8纳米。

17.根据权利要求16所述的IC结构，其中，所述金属区的所述部分中的钨的平均颗粒尺寸小于6纳米。

18.根据权利要求16-17中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线包括硅或锗。

19.根据权利要求16-17中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线具有在4纳米与10纳米之间的厚度。

20.根据权利要求16-17中任一项所述的IC结构，其中，所述第一纳米线、所述第二纳米线和所述金属区是全环栅晶体管的部分。