[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供半导体装置，其抑制半导体芯片的接合导线的表面电极的温度上升。半导体装置(10)包括在正面具备电极区(32a、32b)的半导体芯片(30)、和分别接合于电极区(32a、32b)的多根导线(50)。此时，电极区(32a、32b)的分别与多根导线(50)接合的多个被接合区域(36)配置为俯视时在与半导体芯片(30)的一边平行的X方向上和在与X方向正交的Y方向上各不重复。由此，导线(50)分散地接合于半导体芯片(30)的电极区(32a、32b)，从而在电极区(32a、32b)中温度几乎均匀地分布于整体，温度高的区域的不均分布受到抑制。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片包括IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode，续流二极管)等半导体元件，该半导体装置通过铝、铜等金属制的导线将半导体芯片的表面电极之间进行电接合而被用作电力转换装置。此时，针对表面电极的导线尽可能地接合到表面电极的周边部、特别是角部。这是为了避开表面电极在半导体芯片通电时温度变得最高的中央部，此外避免导线彼此的接触。进而，通过使导线与表面电极的接合面积增加，能够降低每一根导线的发热，并且能够抑制因导线与表面电极之间的热应力之差而引起的破坏的发生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-066704号公报

发明内容

技术问题

近年来，半导体芯片的尺寸的缩小化一直在发展。因此，导线与半导体芯片的表面电极的接合面积受到限制而无法使接合面积增加。与之相伴，导线与半导体芯片的接合位置处的导电时的发热量也会增加。此外，若半导体芯片的尺寸缩小化，则即使将导线接合到表面电极的角部，导线彼此的间隔也缩短且导线的接合位置处彼此会产生热干扰，会发生导线及半导体芯片的表面电极的温度上升。由于因导线与表面电极之间的热应力之差而引起的破坏的发生，会导致包含半导体芯片的半导体装置的可靠性降低。

本发明是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供一种能够抑制半导体芯片的接合导线的表面电极的温度上升的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个方面，提供一种半导体装置，其具备：半导体芯片，其在正面具备第一主电极；以及多根导线，其分别与所述第一主电极接合，分别与所述多根导线接合的所述第一主电极的多个被接合区域配置为俯视时在与所述半导体芯片的一边平行的第一方向上和在与所述第一方向正交的第二方向上各不重复。

技术效果

根据公开的技术，能够抑制半导体芯片的接合导线的表面电极的温度上升而抑制半导体装置的可靠性的降低。

附图说明

图1是半导体装置的侧截面图。

图2是半导体装置的俯视图。

图3是半导体芯片的俯视图。

图4是用于说明实施方式的导线与半导体芯片的接合位置的图(其一)。

图5是用于说明实施方式的半导体芯片的表面温度的图。

图6是用于说明参考例的导线与半导体芯片的接合位置的图(其一)。

图7是用于说明参考例的半导体芯片的表面温度的图。

图8是用于说明实施方式的导线与半导体芯片的接合位置的图(其二)。

图9是用于说明参考例的导线与半导体芯片的接合位置的图(其二)。