[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011028700.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112768515A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥正树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/49;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;杨敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体芯片，其在正面具备第一主电极；以及
多根导线，其分别与所述第一主电极接合，
分别与所述多根导线接合的所述第一主电极的多个被接合区域配置为俯视时在与所述半导体芯片的一边平行的第一方向上和在与所述第一方向正交的第二方向上各不重复。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片在背面还具备第二主电极，
所述半导体装置还具有导电板，所述半导体芯片的所述第二主电极介由接合部件连接所述导电板。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多根导线为4根以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个被接合区域配置于所述正面的中央部以外的位置。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个被接合区域配置于所述正面的外边部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述正面配置有偶数个所述多个被接合区域。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
从所述多个被接合区域中选择的以2个为一组的被接合区域的全部组配置为相对于所述正面的中心点呈点对称。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个被接合区域在所述正面的外边部配置有4个。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个被接合区域配置为使连结所述一组被接合区域的直线与连结另一组被接合区域的直线正交。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个被接合区域进一步配置为相对于通过所述正面的所述中心点的直线呈线对称。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片的一边的长度为7mm以下。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片包括二极管或开关元件。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片由碳化硅构成。
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