[发明专利]半导体器件的封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 202011024752.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112151485A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈佳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
半导体基板；
形成于所述半导体基板上表面的半导体器件，所述半导体器件包括实现半导体器件功能的芯片区域，以及围绕所述芯片区域的片外区域；
位于所述芯片区域上部的顶层金属；
位于所述半导体器件上部的第一钝化层；
位于所述第一钝化层上表面的再布线层；
其中，每个所述顶层金属的上部内均对应设置有贯穿所述第一钝化层的多个第一开孔，所述多个第一开孔用于实现所述顶层金属与所述再布线层之间的电性连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，每个所述顶层金属上部的多个第一开孔彼此间隔设置，且所述多个第一开孔中每个第一开孔之间的间隔距离均小于或等于第一预设值，以及
所述多个第一开孔中的外围开孔与所述顶层金属的终端位置的间隔距离小于或等于第二预设值。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
第二钝化层，所述第二钝化层位于所述半导体器件上表面与所述第一钝化层之间；
多个第二开孔，所述多个第二开孔对应设置于所述顶层金属的下部区域且贯穿所述第二钝化层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述顶层金属下部区域的多个第二开孔彼此间隔设置，且所述多个第二开孔中每个第二开孔之间的间隔距离均小于或等于第一预设值，以及
所述多个第二开孔中的外围开孔与所述顶层金属的终端位置的间隔距离小于或等于第二预设值。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述多个第一开孔和所述多个第二开孔的尺寸小于均或等于所述第一阈值。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述多个第一开孔和所述多个第二开孔的横截面的形状为圆形或方形。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，每个第一开孔和每个第二开孔的腔体内填充有铜材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层的上表面平坦。
9.根据权利要求3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的形成材料均为氧化物或氮氧化物。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述半导体基板包括：衬底，以及形成于所述衬底之上的外延层。
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