[发明专利]垂直式静电放电保护装置

权利要求书

1.一种垂直式静电放电保护装置，包含：

重掺杂半导体基板，具有第一导电型；

第一半导体外延层，具有该第一导电型，该第一半导体外延层设于该重掺杂半导体基板上；

第一掺杂埋层，具有第二导电型，该第一掺杂埋层设于该第一半导体外延层中，其中该第一掺杂埋层从该第一半导体外延层的顶部露出与布植；

第二半导体外延层，具有该第一导电型，该第二半导体外延层设于该第一半导体外延层与该第一掺杂埋层上；

第一掺杂阱区，具有该第二导电型，该第一掺杂阱区设于该第二半导体外延层中，并设于该第一掺杂埋层上；

至少一个第二掺杂阱区，具有该第二导电型，该至少一个第二掺杂阱区设于该第二半导体外延层中，其中该至少一个第二掺杂阱区邻接该第一掺杂阱区；以及

第一重掺杂区，具有该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂阱区中，其中该第一重掺杂区经由一外部导体耦接该至少一个第二掺杂阱区。

2.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该第一导电型为N型，且该第二导电型为P型。

3.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该第一导电型为P型，且该第二导电型为N型。

4.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该第一掺杂阱区的掺杂浓度实质上小于该第一掺杂埋层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该第一掺杂阱区的底部直接接触该第一掺杂埋层。

6.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该至少一个第二掺杂阱区包含多个第二掺杂阱区。

7.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该至少一个第二掺杂阱区环绕该第一掺杂阱区。

8.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该至少一个第二掺杂阱区直接接触该第一掺杂阱区。

9.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该至少一个第二掺杂阱区的掺杂浓度实质上大于该第一掺杂阱区的掺杂浓度。

10.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该第一重掺杂区延伸至该至少一个第二掺杂阱区。

11.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，更包含至少一个第二重掺杂区，该至少一个第二重掺杂区具有该第二导电型，该至少一个第二重掺杂区设于该至少一个第二掺杂阱区中。

12.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，更包含至少一个第二掺杂埋层，该至少一个第二掺杂埋层设于该第一半导体外延层中，该至少一个第二掺杂埋层从该第一半导体外延层的顶部露出与布植。

13.根据权利要求12所述的垂直式静电放电保护装置，其中该至少一个第二掺杂埋层直接接触该至少一个第二掺杂阱区的底部。

14.根据权利要求1所述的垂直式静电放电保护装置，其中该重掺杂半导体基板耦接第一接脚，该至少一个第二掺杂阱区与该第一重掺杂区经由该外部导体耦接第二接脚。

15.根据权利要求11所述的垂直式静电放电保护装置，其中该重掺杂半导体基板耦接第一接脚，该至少一个第二重掺杂区与该第一重掺杂区经由该外部导体耦接第二接脚。