[发明专利]记忆体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆体元件，其特征在于，包含:

一擦除栅极，位于一基板的一第一部分上方；

一擦除栅极介电质，位于该擦除栅极和该基板的该第一部分之间；

第一和第二浮栅极，位于该擦除栅极的相对两侧；

第一和第二控制栅极，分别位于该些第一和第二浮栅极上方；

第一选择栅极，沿着一第一方向至少部分通过该第一控制栅极与该擦除栅极隔开；

第二选择栅极，沿着该第一方向至少部分通过该第二控制栅极与该擦除栅极隔开；

一共用源极条，位于该基板的一第二部分上，其中该共用源极条与该擦除栅极沿着垂直该第一方向的一第二方向上排列；以及

一硅化物垫，位于该共用源极条下方且位于该基板的该第二部分内，其中该硅化物垫的一上表面平坦于该擦除栅极介电质的一下表面。

2.根据权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，在沿着该第一方向的剖面中，该硅化物垫的水平宽度小于该擦除栅极介电质的水平宽度。

3.根据权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，在沿着该第二方向的剖面中，该硅化物垫与该擦除栅极介电质的一侧壁接触。

4.根据权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，在沿着该第二方向的剖面中，该硅化物垫与该些第一和第二浮栅极以非零距离隔开。

5.一种记忆体元件，其特征在于，包含:

一擦除栅极，位于一基板的一第一部分上方；

一擦除栅极介电质，位于该擦除栅极和该基板的该第一部分之间；

第一和第二浮栅极，位于该擦除栅极的相对两侧；

第一和第二控制栅极，分别位于该些第一和第二浮栅极上方；

第一选择栅极，沿着一第一方向至少部分通过该第一控制栅极与该擦除栅极隔开；

第二选择栅极，沿着该第一方向至少部分通过该第二控制栅极与该擦除栅极隔开；

一第一硅化物垫，位于该基板的一第二部分中，其中该第一硅化物垫和该擦除栅极沿着垂直该第一方向的一第二方向排列；

一第一浮栅极间隔物，位于该第一浮栅极的一侧壁上，其中该第一硅化物垫通过该第一浮栅极间隔物与该第一浮栅极隔开；以及

一第二浮栅极间隔物，位于该第二浮栅极的一侧壁上，其中该第一硅化物垫通过该第二浮栅极间隔物与该第二浮栅极隔开。

6.根据权利要求5所述的记忆体元件，其特征在于，还包含:

一层间介电层，位于该第一浮栅极间隔物和该第二第一浮栅极间隔物之间；以及

一共用源极条延伸穿越该层间介电层并接触该第一硅化物垫。

7.根据权利要求5所述的记忆体元件，其特征在于，还包含一第一控制栅极间隔物和一第二控制栅极间隔物，分别位于该第一控制栅极的一侧壁和该第二控制栅极的一侧壁上，其中在沿着该第一方向并穿越该第一硅化物的一第一剖面中，该第一浮栅极间隔物和该第二浮栅极间隔物分别与该第一控制栅极间隔物和该第二控制栅极间隔物接触。

8.一种记忆体元件的制造方法，其特征在于，包含:

在一基板上形成一第一浮栅极和一第二浮栅极；

分别在该第一浮栅极和该第二浮栅极上方形成一第一控制栅极和一第二控制栅极；

形成一图案化遮罩以覆盖该第一控制栅极和该第二控制栅极，其中该图案化遮罩曝露位于该第一控制栅极和该第二控制栅极之间的该基板的一第一部分，且该图案化遮罩曝露该第一控制栅极和该第二控制栅极之间的该基板的一第二部分；

在该基板的该第一部分中形成一共用源极区，其中在形成该共用源极区期间，该图案化遮罩保护该基板的该第二部分；

移除该图案化遮罩；

在该基板的该第一部分上方形成一擦除栅极；以及

在该基板的该第二部分上方形成一共用源极条。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成该擦除栅极包含:

形成一擦除栅极层于该基板的该第一部分和该第二部分上方；以及

自该基板的该第二部分上方移除该擦除栅极层。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包含:

在形成该图案化遮罩之前在该第一浮栅极的一侧壁和该第二浮栅极的一侧壁上分别形成一第一浮栅极间隔物和一第二浮栅极间隔物；以及

在形成该图案化遮罩之后，移除该基板的该第一部分上方的该第一浮栅极间隔物和该第二浮栅极间隔物，其中该第一浮栅极间隔物和该第二浮栅极间隔物残留在该基板的该第二部分上方。