[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202011020246.7 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112735961A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 大久保广成;小原启太;本田真也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
本发明提供晶片的加工方法,能够减少对用于实施切口检查或切口巡览的不存在TEG的位置进行登记的作业的麻烦。晶片的加工方法包含图案区域检测步骤、评价区域设定步骤以及评价区域展开步骤。图案区域检测步骤中,检测在所拍摄的图像中出现实质上相同的图像的周期和位置信息,并检测与一个周期对应的该图案区域。评价区域设定步骤中,检测在分割预定线上未形成金属图案的位置并设定为对加工槽的优劣进行评价的评价区域。评价区域展开步骤中,对图案区域中的评价区域的位置进行记录,使评价区域在不同的图案区域的同样的部位展开。
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法。
背景技术
为了将以硅、蓝宝石、碳化硅、砷化镓等作为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等晶片分割成各个芯片,使用利用切削刀具的切削装置或利用激光的激光加工装置。在这些装置中,使用所谓的切口检查(kerf check)的功能,该功能在加工中途自动地确认加工痕(切削槽或激光加工痕)是否落入分割预定线中、是否产生较大的缺损等(参照专利文献1)。另外,在激光加工装置中,使用所谓的切口巡览(kerf navigation)的功能,该功能在加工中途对通过激光照射而产生的发光进行拍摄而对加工状况的优劣进行判定(参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2005-197492号公报
专利文献2:日本特开2016-104491号公报
专利文献3:日本特开2017-117924号公报
不过,以往切口检查存在如下的问题:在形成有TEG(Test Element Group,测试元件组)的区域内有可能无法正确地实施(参照专利文献3)。切口巡览也存在如下的问题:在形成有TEG的区域内有可能无法正常地产生基于激光照射的发光而无法正确地实施。
因此,产生了如下的作业:操作者在加工前一边使对晶片进行拍摄的显微镜的位置移动一边找到不存在TEG的位置并登记在装置中,以便在该位置实施切口检查或切口巡览(参照专利文献3)。该登记作业不但麻烦,而且存在如下的问题:由于是利用目视来判断不存在TEG的位置,因此有可能导致操作者的错误。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供晶片的加工方法,能够减少对用于实施切口检查或切口巡览的不存在TEG的位置进行登记的作业的麻烦。
根据本发明的一个方式,提供晶片的加工方法,该晶片在正面上周期性地形成有多个相同的图案区域,该图案区域包含交叉的多条分割预定线和由该多条分割预定线划分的器件区域,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台对晶片的背面侧进行保持;拍摄步骤,一边使保持工作台和拍摄单元相对地移动一边对晶片的正面的多个部位进行拍摄;图案区域检测步骤,检测在所拍摄的图像中出现实质上相同的图像的周期和位置信息,并检测与一个周期对应的该图案区域;评价区域设定步骤,检测在该分割预定线上未形成金属图案的位置并设定为对加工槽的优劣进行评价的评价区域;评价区域展开步骤,记录该图案区域中的该评价区域的位置,使该评价区域在不同的该图案区域的同样的部位展开;加工步骤,对晶片进行加工;以及加工槽评价步骤,在至少两个以上的该图案区域中对该评价区域进行拍摄,对加工槽进行拍摄而对优劣进行判定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011020246.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氟雷拉钠晶型及其制备方法
- 下一篇:一种镁合金薄板的生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造