[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202011020246.7 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112735961A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 大久保广成;小原启太;本田真也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面上周期性地形成有多个相同的图案区域,该图案区域包含交叉的多条分割预定线和由该多条分割预定线划分的器件区域,其特征在于,
该晶片的加工方法具有如下的步骤:
保持步骤,利用保持工作台对晶片的背面侧进行保持;
拍摄步骤,一边使保持工作台和拍摄单元相对地移动一边对晶片的正面的多个部位进行拍摄;
图案区域检测步骤,检测在所拍摄的图像中出现实质上相同的图像的周期和位置信息,并检测与一个周期对应的该图案区域;
评价区域设定步骤,检测在该分割预定线上未形成金属图案的位置并设定为对加工槽的优劣进行评价的评价区域;
评价区域展开步骤,记录该图案区域中的该评价区域的位置,使该评价区域在不同的该图案区域的同样的部位展开;
加工步骤,对晶片进行加工;以及
加工槽评价步骤,在至少两个以上的该图案区域中对该评价区域进行拍摄,对加工槽进行拍摄而对优劣进行判定。
2.一种晶片的加工方法,该晶片在正面上周期性地形成有多个相同的图案区域,该图案区域包含交叉的多条分割预定线和由该多条分割预定线划分的器件区域,其特征在于,
该晶片的加工方法包含如下的步骤:
保持步骤,利用保持工作台对晶片的背面侧进行保持;
拍摄步骤,一边使保持工作台和拍摄单元相对地移动一边对晶片的正面的多个部位进行拍摄;
图案区域检测步骤,检测在所拍摄的图像中出现实质上相同的图像的周期和位置信息,并检测与一个周期对应的该图案区域;
评价区域设定步骤,检测在该分割预定线上未形成金属图案的位置并设定为对加工槽的优劣进行评价的评价区域;
评价区域展开步骤,记录该图案区域中的该评价区域的位置,使该评价区域在不同的该图案区域的同样的部位展开;
加工步骤,对晶片照射激光束而进行加工;以及
加工槽评价步骤,在该评价区域的加工中对该评价区域和通过激光束的照射而产生的发光进行拍摄,对加工状况的优劣进行判定。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
多条分割预定线形成在第1方向和与第1方向交叉的第2方向上,
该图案区域检测步骤在该第1方向和该第2方向这两个方向上进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造