[发明专利]用于增强处理均匀性和减少基板滑动的基座在审
| 申请号: | 202011019392.8 | 申请日: | 2014-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN112201594A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 甘加达尔·希拉瓦特;马哈德夫·乔希;青木裕司 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 增强 处理 均匀 减少 滑动 基座 | ||
本文提供用于增强处理均匀性和减少基板滑动的基座。在一些实施方式中,基板支撑件包括:基座板,所述基座板具有顶表面;凹槽,所述凹槽形成于顶表面内,其中所述凹槽由边缘界定;和多个倾斜支撑元件,所述多个倾斜支撑元件设置于凹槽内,且所述多个倾斜支撑元件沿凹槽的边缘设置,其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面,所述第一表面朝向凹槽的中心向下倾斜。
本申请是申请日为2014年03月07日申请的申请号为201480003813.4,并且发明名称为“用于增强处理均匀性和减少基板滑动的基座”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式大体涉及半导体处理。
背景技术
基座(susceptor)用于将基板保持在基板处理腔室(诸如外延沉积腔室)的处理区域中。本发明人已注意到,当基板置放于基座上时,传统使用的基座设计可能导致处理的非均匀性以及基板滑动的问题。
因此,本发明人提供了用于支撑基板的改良的基座的实施方式。
发明内容
本文提供用于支撑基板的设备。在一些实施方式中,基板支撑件包括:基座板(susceptor plate),所述基座板具有顶表面;凹槽,所述凹槽形成于顶表面内,其中所述凹槽由边缘界定;和多个倾斜支撑元件,所述多个倾斜支撑元件设置于所述凹槽内且沿所述凹槽的边缘设置,其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面,所述第一表面朝向所述凹槽的中心向下倾斜。
在一些实施方式中,基板支撑件包括:基座板,所述基座板具有顶表面;凹槽,所述凹槽形成于顶表面内,其中所述凹槽由边缘界定;多个倾斜支撑元件,所述多个倾斜支撑元件设置于所述凹槽内且沿所述凹槽的边缘设置,其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面,所述第一表面朝向所述凹槽的中心向下倾斜,其中所述第一表面的倾斜与水平面(horizontal)成约0.5度至约18度;和多个升降销孔,所述多个升降销孔位于所述凹槽中,以允许升降销模块穿过所述多个升降销孔的每一个,以升高或降低所述基板。
在一些实施方式中,用于处理基板的设备包括:处理腔室;基板支撑件;支撑托架,所述支撑托架在所述处理腔室内支撑所述基板支撑件;和基板升降组件,所述基板升降组件设置于所述基板支撑件下方,所述基板升降组件包括基板升降轴和多个升降销模块,以升高和降低位于所述基板支撑件顶上的基板。所述基板支撑件包括:基座板,所述基座板具有顶表面;凹槽,所述凹槽形成于顶表面内,其中所述凹槽由边缘界定;和多个倾斜支撑元件,所述多个倾斜支撑元件设置于所述凹槽内且沿所述凹槽的边缘设置,其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面,所述第一表面朝向所述凹槽的中心向下倾斜。
以下描述本发明的其他和进一步的实施方式。
附图说明
通过参照附图中描绘的本发明的说明性实施方式,可理解以上简要概括和以下更详细地讨论的本发明的实施方式。然而应注意,附图仅图示本发明的典型实施方式,且因此这些附图不应被视为对本发明范围的限制,因为本发明可允许其他等效的实施方式。
图1图示根据本发明的一些实施方式适合与用于支撑基板的设备一起使用的处理腔室的示意性侧视图。
图2图示根据本发明的一些实施方式的用于支撑基板的设备。
图3图示根据本发明的一些实施方式的图2中所示的倾斜支撑元件。
图4图示根据本发明的一些实施方式的图2中所示的用于支撑基板的设备的截面图。
图5图示根据本发明的一些实施方式的用于支撑基板的设备。
图6图示根据本发明的一些实施方式的图5中所示的倾斜支撑元件。
图7图示根据本发明的一些实施方式的用于支撑基板的设备。
图8图示根据本发明的一些实施方式的图7中所示的倾斜支撑元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





