[发明专利]用于增强处理均匀性和减少基板滑动的基座在审
| 申请号: | 202011019392.8 | 申请日: | 2014-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN112201594A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 甘加达尔·希拉瓦特;马哈德夫·乔希;青木裕司 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 增强 处理 均匀 减少 滑动 基座 | ||
1.一种基板支撑件,所述基板支撑件包括:
基座板,所述基座板具有顶表面;
中心凹槽,所述凹槽形成于所述顶表面内,其中所述凹槽由围绕所述凹槽的连续的边缘界定;和
多个倾斜支撑元件,所述多个倾斜支撑元件设置于所述凹槽内,且所述多个支撑元件沿所述凹槽的所述连续的边缘设置,其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面,所述第一表面朝向所述凹槽的中心向下倾斜并且所述第一表面从所述顶表面的所述边缘延伸至所述凹槽的表面,其中所述第一表面被配置成当基板设置在所述基板支撑件上时支撑所述基板的边缘,所述基板支撑件进一步包括位于所述凹槽中的多个升降销孔,以允许升降销模块穿过所述多个升降销孔的每一个,以升高或降低所述基板,
其中所述倾斜支撑元件的至少一个沿所述基板支撑件的公共半径与升降销孔对准。
2.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述第一表面的倾斜与水平面成0.5度至18度。
3.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述基座板包括具有碳化硅涂层的碳石墨基体。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中所述凹槽包括3个至12个倾斜支撑元件。
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中每一个倾斜支撑元件与邻近的倾斜支撑元件等距离地间隔开。
6.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中所述多个倾斜支撑元件在所述凹槽内一体式形成。
7.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中所述多个倾斜支撑元件可移除地耦接至所述凹槽。
8.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,所述顶表面进一步包括台阶,所述台阶形成于所述凹槽顶上,其中所述多个倾斜支撑元件设置于所述台阶顶上。
9.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中所述多个倾斜支撑元件进一步包括:
第二表面,所述第二表面耦接至所述第一表面并且实质上垂直于所述第一表面倾斜;和
第三表面,所述第三表面耦接至所述第一表面并且在与所述第二表面相对的方向上实质上垂直于所述第一表面倾斜。
10.如权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件,其中所述倾斜支撑元件的每一个沿公共半径与相应的升降销孔对准。
11.如权利要求10所述的基板支撑件,其中所述多个升降销孔为三个升降销孔,且其中所述多个倾斜支撑元件为三个倾斜支撑元件。
12.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:
处理腔室;
基板支撑件;
支撑托架,所述支撑托架在所述处理腔室内支撑所述基板支撑件;和
基板升降组件,所述基板升降组件设置于所述基板支撑件下方,所述基板升降组件包括基板升降轴和多个升降销模块,以升高和降低位于所述基板支撑件顶上的基板,其中所述基板支撑件为如前述任一项权利要求所述的基板支撑件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





