[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202011011841.4 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112103399A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 张扬;刘宁;周斌;程磊磊;闫梁臣;刘军;王庆贺;孙涛;罗志文 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上通过一次构图工艺形成导电图形,所述导电图形包括:阳极层和辅助电极层,所述辅助电极层包括:沿垂直且远离所述基板的方向层叠设置的第一保护电极、金属电极和第二保护电极,沿平行于所述基板的方向,所述第一保护电极与所述第二保护电极均凸出于所述金属电极,所述第二保护电极在所述基板上的正投影位于所述第一保护电极在所述基板上的正投影内,且沿平行于所述基板的方向,所述第二保护电极的边界与所述第一保护电极的边界错开;
在所述导电图形上形成发光层;
在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层与所述第一保护电极接触,且与所述金属电极的侧壁接触。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在基板上通过一次构图工艺形成导电图形,包括:
在所述基板上依次形成第一导电薄膜、第二导电薄膜和第三导电薄膜;
在所述第三导电薄膜上形成第一光刻胶图案;
对所述第三导电薄膜进行第一刻蚀处理,得到第一子导电图形;
对所述第二导电薄膜进行第二刻蚀处理,得到第二子导电图形;
对所述第一光刻胶图案进行灰化处理,以去除所述第一光刻胶图案中的边缘部分,得到第二光刻胶图案;
对所述第一子导电图形进行第三刻蚀处理,得到第三子导电图形,所述第三子导电图形包括:所述第二保护电极;
对所述第一导电薄膜进行第四刻蚀处理,得到第四子导电图形,所述第四子导电图形包括:所述第一保护电极;
对所述第二子导电图形进行过刻处理,得到第五子导电图形,所述第五子导电图形包括:所述金属电极。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,对所述第一光刻胶图案进行灰化处理,以去除所述第一光刻胶图案中的边缘部分,得到第二光刻胶图案,包括:
将形成有所述第一光刻胶图案的基板至于包含灰化气体的环境中,以使所述灰化气体减薄所述第一光刻胶图案的厚度,并去除所述第一光刻胶图案中的边缘部分,得到所述第二光刻胶图案,所述灰化气体用于与光刻胶反应。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述灰化气体包括:氧气或者氧气与六氟化硫的混合气体。
5.根据权利要求要求2所述的方法,其特征在于,所述阳极层包括:沿远离所述基板方向依次层叠设置的第一子阳极、第二子阳极和第三阳极;
对所述第二子导电图形进行过刻处理,得到第五子导电图形之前,所述方法还包括:
去除所述第二光刻胶图案;
在所述第三子导电图形上形成环绕在所述阳极层周围的像素界定层;
其中,所述第四子导电图形还包括:所述第一子阳极,所述第二子导电图形包括:所述第二子阳极,所述第三子导电图形还包括:所述第三子阳极;
所述像素界定层在所述基板上的正投影与所述阳极层在所述基板上的正投影的边缘重合,且所述像素界定层在所述基板上的正投影与所述辅助电极层在所述基板上的正投影错开。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述像素界定层在所述基板上的正投影,覆盖所述第二子阳极中目标部分在所述基板上的正投影,所述目标部分未与所述第三子阳极接触。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二保护电极在所述基板上的正投影位于所述第一保护电极在所述基板上的正投影的中央区域内。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述金属电极在所述基板上的正投影位于所述第一保护电极在所述基板上的正投影的中央区域内。
9.根据权利要求2至8任一所述的方法,其特征在于,在所述第三导电薄膜上形成第一光刻胶图案,包括:
在所述第三导电薄膜上形成光刻胶薄膜;
对所述光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理,得到所述第一光刻胶图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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