[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

说明书

发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；第一TFT区域制作第一有源层，将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域；沟道区域上制作第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作隔离层，蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层；蚀刻隔离层，形成两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域，减少第二TFT退火制程H离子扩散，提升第二TFT器件稳定性，同时由于隔离层仅保留在第一TFT区域，第二TFT膜层厚度减薄，透过率增大，可提升显示效果。

技术领域

本发明涉及TFT阵列基板制作领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。

背景技术

铟镓锌氧化物IGZO(indiumgalliumzincoxide)，其载流子迁移率为非晶硅的20-30倍，可以实现超高的分辨率的TFT-LCD，同时由于其高透明性，低成本，低制造温度等特点，在工业生产中得到广泛应用。

由于低温多晶硅(LTPS)作为沟道层材料拥有更高的载流子迁移率(约为IGZO-TFT的3～10倍)，因此可作为周边GIP区域驱动TFT，利用其高载流子迁移率的特点，可以实现窄边框设计，但由于IGZO-TFT相比于LTPS-TFT拥有更小的Ioff，显示区域使用IGZO-TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，从而实现低功耗的目的。现有LTPO技术，LTPS-TFT作为GIP区域，IGZO-TFT作为显示区域(AA区)，可以利用LTPS技术的高迁移率特性实现窄边框化，同时利用IGZO技术的低Ioff特性实现低功耗。因此，业界诸如厂商均开始投入LTPO型TFT开发，实现窄边框低功耗显示技术，现有LTPO技术，LTPSTFT1通常采用顶栅自对准结构结构，IGZOTFT2通常采用BCE结构，在LTPS工艺中，ILD层通常使用SiOx/SiNx双层结构，其中SiNx膜质H离子含量较高，在后续退火制程中H离子移动，可起到poly-Si沟道晶格修补作用，改善器件的亚阈值摆幅，SiOx膜质因为其低介电常数可以减少寄生电容；但TFT2中IGZO层对H离子较敏感，大量H离子移动易造成TFT2Vth漂移，因此要减少IGZOTFT2退火制程中H离子扩散。

发明内容

为此，需要提供一种TFT阵列基板及其制作方法，减少第二TFT退火制程中H离子扩散。

为实现上述目的，本申请提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括步骤：

将基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；

于第一TFT区域制作第一有源层，并将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域，所述导体化区域设置于所述沟道区域两侧；

于所述沟道区域上制作第一栅极绝缘层；

于第一栅极绝缘层上制作第一金属层；

制作含有SiNx的隔离层，并蚀刻隔离层，去除位于所述第二TFT区域上的所述隔离层并形成以所述导体化区域为底的两个第一通孔；

同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第一源极、第一漏极分别通过两个所述第一通孔与所述有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于所述第二TFT区域上；

制作第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，覆盖第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第二栅极绝缘层为SiOx结构。

进一步地，还包括步骤包括：

制作第二有源层于第二栅极绝缘层上，且所述第二有源层位于所述第二金属层上方；

制作第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极分别与第二有源层两侧连接。

进一步地，还包括步骤：