[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

将基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；

于第一TFT区域制作第一有源层，并将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域，所述导体化区域设置于所述沟道区域两侧；

于所述沟道区域上制作第一栅极绝缘层；

于第一栅极绝缘层上制作第一金属层；

制作含有SiNx的隔离层，并蚀刻隔离层，去除位于所述第二TFT区域上的所述隔离层并形成以所述导体化区域为底的两个第一通孔；

同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第一源极、第一漏极分别通过两个所述第一通孔与所述有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于所述第二TFT区域上；

制作第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，覆盖第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第二栅极绝缘层为SiOx结构。

2.根据权利要求1所述一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤包括：

制作第二有源层于第二栅极绝缘层上，且所述第二有源层位于所述第二金属层上方；

制作第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极分别与第二有源层两侧连接。

3.根据权利要求2所述一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤：

制作绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，并于所述绝缘层上制作以第二源极或第二漏极为底的第二通孔；

于所述第二通孔两侧分别制作两个ITO BC；

制作钝化层，所述钝化层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，并于所述钝化层上蚀刻第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔共用一个底面；

制作ITO PE，使所述ITO PE与所述第二源极或第二漏极连接。

4.根据权利要求3所述一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述于第二通孔两侧分别制作两个ITO BC步骤包括：

于所述绝缘层上制作平坦层，所述平坦层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，且覆盖于所述绝缘层上；并于所述平坦层上蚀刻形成第四通孔，所述第四通孔与所述第二通孔相导通设置；

于所述第四通孔两侧分别制作两个ITO BC。

5.根据权利要求1所述一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述于第一TFT区域制作第一有源层，并将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域，所述导体化区域设置于所述沟道区域两侧步骤前，还包括步骤：

制作缓冲层与所述基板上。

6.根据权利要求2所述一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作第二有源层于第二栅极绝缘层上，且所述第二有源层位于所述第二金属层上方步骤后，还包括步骤：

在所述第二栅极绝缘层上制作蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上；

蚀刻所述蚀刻阻挡层，形成以所述第二有源层为底的两个第五通孔，且所述第二源极和第二漏极分别通过一个第五通孔与所述第二有源层连接。

7.一种TFT阵列基板结构，其特征在于，所述基板上设置有第一TFT区域和第二TFT区域，所述基板上设置有第一有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层、隔离层、第一源极和第一漏极；

所述基板的第一TFT区域上设置有第一有源层设置于基板上，且所述第一有源层分为沟道区域和导体化区域，所述第一栅极绝缘层设置于所述沟道区域上，所述第一金属层设置于所述第一栅极绝缘层上，所述隔离层覆盖在第一有源层、第一栅极绝缘层和第一金属层上，所述第一源极和第一漏极通过所述隔离层上的第一通孔与所述导体化区域连接；

所述第二TFT包括：第二金属层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二有源层、第二源极和第二漏极；所述第二金属层置于基板上，且所述第二栅极绝缘层覆盖在所述第二金属层以及所述第一TFT上；所述第二有源层置于所述第二栅极层上，且位于所述第二金属层上方；于所述第二有源层两侧分别设置有第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极与所述第二有源层连接。