[发明专利]半导体装置和其制造方法以及多次可编程的记忆体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一基板；

一栅极氧化物层其形成在该基板上；

一栅极其形成在该栅极氧化物层上；以及

一间隔物其形成在相邻于该栅极和在该基板上方，该间隔物包含一填充空气的空隙。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该间隔物包含：

一氧化物层其接触该栅极；以及

一氮化物层其接触该氧化物层，其中该填充空气的空隙形成在该氮化物层之内。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该填充空气的空隙被该氮化物层完全地围绕。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该氧化物层包含一第一氧化物层，且该氮化物层包含一第一氮化物层，并且其中该间隔物还包含：

一第二氧化物层其接触该第一氮化物层；以及

一第二氮化物层其接触该第一氧化物层。

5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

在一基板之上形成一栅极氧化物层；

在该栅极氧化物层之上形成一栅极；

在该栅极上方和在该基板上方沉积一第一间隔物层；

在该第一间隔物层上方沉积一第二间隔物层；以及

使用一蚀刻制程在该第二间隔物层之内形成一填充空气的空隙。

6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，其中形成该第一间隔物层包含形成一氧化物层，并且其中形成该第二间隔物层包含形成一氮化物层。

7.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，其中使用该蚀刻制程在该第二间隔物层之内形成该填充空气的空隙包含：使用一湿式蚀刻制程在该第二间隔物层之内形成该填充空气的空隙。

8.一种多次可编程的记忆体装置，其特征在于，包含：

一基板；

一栅极氧化物层其形成在该基板之上；

一栅极其形成在该栅极氧化物层之上；以及

一间隔物其包含：

一氧化物层其相邻于该栅极且在该基板上方；和

一氮化物层其接触该氧化物层且包含一填充空气的空隙。

9.根据权利要求8所述的多次可编程的记忆体装置，其特征在于，其中该氮化物层包含一凹陷其形成在该氮化物层的与该基板相对的一顶表面中。

10.根据权利要求8所述的多次可编程的记忆体装置，其特征在于，其中该栅极包含一浮动栅极，并且其中，从该基板的一顶表面测量的该浮动栅极的一高度与从该基板的该顶表面测量的该第一氧化物层的一高度的比率大于0.95。