[发明专利]一种发光二极管

说明书

一种发光二极管，包括：衬底；两个以上半导体发光序列层，堆叠于所述衬底上，相邻所述半导体发光序列层之间通过沟槽隔离；每一个半导体发光序列层包括依次堆叠在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型发光层；第一导电类型半导体层的部分表面为第一台面，所述第一台面未被发光层覆盖而露出；桥接结构，为透明导电层，一部分位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，并且所述桥接结构自所述一个半导体发光序列层的第一台面延伸跨过所述沟槽至相邻的另一半导体发光序列层上的第二导电类型半导体层上；金属接触电极，位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，所述的金属接触电极同时接触所述第一台面和桥接结构的所述一部分。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管（LED）芯片的结构，特别的涉及包括两个以上发光区域的发光二极管芯片的结构。

背景技术

在LED显示市场的终端需求已经日趋饱和、小间距高阶显示进一步提高显色性、应用范围需求日益扩大的情况下，小尺寸LED成为LED行业新兴的技术突破方向。其中100微米以下尺寸的无支撑衬底的LED芯片更早被研发出来，并且被视为下一代的显示产品，相对于LCD、OLED而言，的确具有自身的优势，但众所周知，该100微米以下尺寸的无支撑基板的芯片在“巨量转移”环节及关键性设备上，目前还没有获得实质性的突破。而介于50~300微米尺寸范围之内的有支撑衬底的LED芯片相对于无支撑衬底的小尺寸LED芯片，在制程上更具可行性，技术难度更低，更容易实现量产，能够快速地投入市场，因此后者在背光和显示屏领域上更具运用的前景。

目前在背光和显示屏领域更具运用前景的有支撑衬底的小尺寸LED芯片主要以倒装芯片为主。

倒装芯片包括单个半导体发光序列层构成的发光区域的LED芯片类型和至少两个半导体发光序列层构成的发光区域的LED芯片类型，其中如图1~2所示，传统的串联型倒装LED芯片是通过至少两个半导体发光序列层构成的多个发光区域进行典型串联形成一个发光体，并且仅具有两个倒装焊盘用于固晶，相对于传统的单个半导体发光序列层发光区域的LED芯片，可以简化安装电路，使封装应用端成本更低，并且亮度更高，因此相对于具有单个发光区域的LED芯片在背光和显示屏领域更具运用优势。

倒装LED芯片制作成小尺寸时，用相对小的小电流驱动即可。然而当传统的串联型倒装LED芯片通常用的是金属桥接电极将相邻的发光区域连接起来，因为制作的工艺原因，金属桥接电极在相邻的发光区域之间容易形成不连续性膜层、发生剥离，因此金属桥接电极的宽度不能缩小且厚度不能薄。然而较厚且较宽的金属桥接电极会发生吸光效应，对于小尺寸芯片具有小的发光区域来说吸光问题会更明显，会明显影响小尺寸下的发光光效。因此需要解决金属桥接电极上述技术问题，以提升小尺寸的串联型倒装LED芯片的光效和其它方面的可靠性。

发明内容

本发明提供一种小尺寸的发光二极管芯片，以提升光效和其它方面的可靠性。其具体地包括：

衬底；

两个以上半导体发光序列层，堆叠于所述衬底上，相邻的所述半导体发光序列层之间通过沟槽隔离；

每一个半导体发光序列层包括依次堆叠在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型发光层；第一导电类型半导体层的部分表面为第一台面，所述第一台面未被发光层覆盖而露出；

桥接结构，为透明导电层，一部分位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，并且所述桥接结构自所述一个半导体发光序列层的第一台面延伸跨过所述沟槽至相邻的另一半导体发光序列层上的第二导电类型半导体层上；

金属接触电极，位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，所述的金属接触电极同时接触所述的第一台面和桥接结构的所述一部分。

优选地，所述的金属接触电极仅形成于第一导电类型半导体层的第一台面上。

优选地，所述桥接结构在第二导电类型半导体层上表面上方的面积占所述第二导电类型半导体层的面积的至少为80%。