[发明专利]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

电性串联的两个以上的半导体发光序列层，堆叠于所述衬底上，相邻的所述半导体发光序列层之间通过沟槽隔离；

每一个半导体发光序列层包括依次堆叠在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；第一导电类型半导体层的部分表面为第一台面，所述第一台面未被发光层覆盖而露出；

桥接结构，仅为金属氧化物透明导电层，一部分位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，并且所述桥接结构自所述一个半导体发光序列层的第一台面延伸跨过所述沟槽至相邻的另一半导体发光序列层的第二导电类型半导体层上；

一金属接触电极，仅位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，所述的金属接触电极同时接触所述的第一台面和桥接结构的所述一部分；

第一金属电极，位于电性串联的第一个半导体发光序列层的所述第一台面上，

第二金属电极，位于电性串联的最后一个半导体发光序列层的第二导电类型半导体层的表面上方的桥接结构上；

一布拉格反射绝缘层覆盖于所述半导体发光序列层上的第一金属电极、第二金属电极、桥接结构、半导体发光序列层的侧壁和沟槽底部的上方，并露出部分第一金属电极和第二金属电极的表面；

两个焊盘电极，形成于所述的布拉格反射绝缘层上，分别连接至所述的第一金属电极和第二金属电极；

所述的桥接结构同时位于另一半导体发光序列层的第二导电类型半导体层上，并且与第二导电类型半导体层之间具有局部的电流阻挡作用的绝缘层；

所述的沟槽具有底部，沟槽的底部为衬底的表面，所述的桥接结构在沟槽底部具有第一宽度，所述第一宽度方向垂直于相邻两个半导体发光序列层之间的间距方向，所述桥接结构在第一台面上有第二宽度，第一宽度和第二宽度为从同一方向量测获得，其中第一宽度相对于第二宽度为更宽。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述桥接结构在第二导电类型半导体层上表面上方的面积占所述第二导电类型半导体层的面积的至少为80%。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的沟槽底部具有第三宽度，第三宽度和第一宽度为从同一方向量测获得，第一宽度是第三宽度的至少60%，至多100%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述桥接结构为透光率至少50％的金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的桥接结构在沟槽底部或第二导电类型半导体层的表面的厚度介于20~60nm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的桥接结构与第二导电类型半导体层之间具有局部电流阻挡区域。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述的局部电流阻挡区域通过一连续的电流阻挡层形成，多个独立的孔贯穿该电流阻挡层的膜层形成所述电流阻挡区域。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述的局部电流阻挡区域在第二导电类型半导体层上通过多个独立的块状的电流阻挡层形成。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层的多个独立的孔的间距或者孔的开口宽度不均匀分布。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：从平行于第二导电类型半导体层表面的至少一水平方向上看，靠近所述的第一台面的相邻孔之间的间距小于远离所述第一台面的相邻孔之间的间距，或者从平行于第二导电类型半导体层表面的一水平方向上看，靠近所述的第一台面的孔的开口宽度大于远离所述第一台面的孔的开口宽度。

11.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述的多个独立块状的电流阻挡层之间的间距或者宽度尺寸呈不均匀分布。