[发明专利]智能功率模块

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括底基板、DBC基片、上控制板和外壳；

所述DBC基片焊接在所述底基板上，且所述DBC基片上集成有功率拓扑电路芯片；

所述外壳固定安装在所述底基板上，与所述底基板形成一包覆所述DBC基片和所述功率拓扑电路芯片的空腔；

所述上控制板封盖在所述外壳上，且所述上控制板朝向所述DBC基片的一面集成有驱动控制电路；

其中，所述功率拓扑电路芯片与所述驱动控制电路电连接，用于在所述驱动控制电路的驱动下对工频交流电依次进行交流到直流的整流、直流到交流的逆变和交流到直流的二次整流。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述功率拓扑电路芯片包括整流电路、逆变电路和高频整流电路；

所述整流电路、所述逆变电路和所述高频整流电路依次电连接，并按照由左至右的方式依次布置在所述DBC基片上。

3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述整流电路包括三组并联连接的二极管芯片组；

其中，每组所述二极管芯片组均包括两个串联连接的二极管；

每两个串联连接的二极管的连接点均作为外接电极，用于连接所述工频交流电的三相。

4.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆变电路包括四组IGBT与FRD芯片反并联电路，分别为第一芯片组、第二芯片组、第三芯片组和第四芯片组；

所述第一芯片组与所述第二芯片组串联连接，所述第三芯片组与所述第四芯片组串联连接；

其中，串联连接的所述第一芯片组和所述第二芯片组与串联连接的所述第三芯片组和所述第四芯片组并联，形成H逆变桥结构。

5.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述高频整流电路包括两组整流芯片；

其中，每组所述整流芯片均包含有一个二极管芯片或多个并联连接的二极管芯片。

6.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述功率拓扑电路芯片还包括有温感器件；

所述温感器件设置在所述逆变电路旁侧，并焊接在所述DBC基片上；

其中，所述整流电路、所述逆变电路和所述高频整流电路之间通过键合线电连接。

7.根据权利要求1至5任一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述驱动控制电路包括栅极隔离电源、栅极驱动芯片和检测保护电路；

所述栅极隔离电源、所述栅极驱动芯片和所述检测保护电路均安装在所述上控制板的底面，以使所述栅极隔离电源161、所述栅极驱动芯片和所述检测保护电路封装在所述上控制板、所述外壳和所述底基板所形成的空腔内。

8.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述DBC基片包括第一基片和第二基片；

所述第一基片和所述第二基片呈左右结构排布，且所述第二基片的热导率大于所述第一基片的热导率。

9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一基片为氧化铝基片，所述第二基片的材料为氮化铝基片。

10.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述上控制板的顶面还设置有通信插座；

所述外壳上还嵌装有主接线端子和辅助接线端子，所述外壳与所述底基板粘接；

所述主接线端子和所述辅助接线端子分别与所述功率拓扑电路芯片中的外接电极和辅助电极相对应。