[发明专利]半导体器件制备方法有效
| 申请号： | 202010989087.5 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111883430B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述半导体器件制备方法包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有场氧化层；
在所述场氧化层上形成图案化光刻胶层；
在所述场氧化层中形成一开口，并暴露部分所述衬底；
在所述衬底中形成一浅沟槽，所述开口和所述浅沟槽相连通；
以所述图案化光刻胶层为掩模，采用光刻工艺在所述衬底中形成耐压环沟槽，且所述耐压环沟槽和所述开口及所述浅沟槽相连通；其中，所述浅沟槽为光刻工艺的对准标记。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述浅沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述浅沟槽的深度范围为：
4.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺形成所述开口。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述场氧化层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，以所述图案化光刻胶层为掩模，在所述场氧化层中形成所述开口。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在形成所述耐压环沟槽之后，所述的半导体器件制备方法还包括：在所述耐压环沟槽内形成氮化镓或多晶硅，且所述氮化镓或多晶硅填充所述耐压环沟槽。
8.根据权利要求7所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在形成所述氮化镓或多晶硅之后，所述的半导体器件制备方法还包括：对所述氮化镓或多晶硅进行离子注入；其中，注入的所述离子包括硼离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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