[发明专利]温度自检结构与温度自检方法、安全芯片和电子卡在审

专利信息
申请号: 202010985888.4 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112098817A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 李立;杨磊;吕晓鹏 申请(专利权)人: 天津兆讯电子技术有限公司
主分类号: G01R31/317 分类号: G01R31/317
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦;董烨飞
地址: 300450 天津市滨海新区开发区信*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 温度 自检 结构 方法 安全 芯片 电子卡
【权利要求书】:

1.一种温度自检结构,用于安全芯片的温度传感,其特征在于还用于安全芯片的温度自检,其包括控制单元以及检测单元,所述检测单元包括依次级联设置的采集电路、分压电路、开关电路、比较电路和输出电路,其中:

所述采集电路包括比较器、第一场效应管和二极管,用于感应温度并分配与温度同步变化的电压等级;

所述分压电路包括第二场效应管和多个串联连接的分压电阻,用于向开关电路输出多个不同值的电压信号;

所述开关电路包括至少一个转换开关组,用于在所述控制单元产生的控制信号的作用下,接通或阻断不同值的电压信号;

所述比较电路包括至少一个比较器,所述比较器的个数与所述转换开关组数量对应,用于接收所述控制单元传送的预设参考电压信号以及由所述开关电路接通的电压信号,比较所述预设参考电压信号和接通的所述电压信号并输出比较结果;

所述输出电路包括至少一个反相器,用于将比较结果、以及比较结果取反后构成检测结果输出;

所述控制单元还用于接收所述检测结果,并将所述检测结果匹配预测结果以判断温度传感通路是否受到攻击。

2.如权利要求1所述的温度自检结构,其特征在于:每一所述转换开关组包括下限自检转接开关和上限自检转接开关,所述下限自检转接开关和所述上限自检转接开关均为场效应管;

所述控制信号包括上限自检使能信号、下限自检使能信号,所述下限自检转接开关、所述上限自检转接开关分别在所述上限自检使能信号、所述下限自检使能信号的控制下接通或阻断不同值的上限自检电压和下限自检电压,所述上限自检电压和所述下限自检电压经所述对比电路得到所述比较结果;

所述控制单元预设与所述上限自检使能信号、所述下限自检使能信号对应的预测结果,用于将所述检测结果与预测结果相匹配,判断高温输出通路和/或低温输出通路是否受到攻击;

其中,所述控制单元所产生的所述上限自检使能信号和所述下限自检使能信号均分别为1bits。

3.如权利要求1所述的温度自检结构,其特征在于:所述检测结果为2位且该2位中的数值互斥,所述输出电路包括用于直接将所述比较结果输出的第一端、以及将所述比较结果取反后输出的第二端,所述第一端与所述第二端各输出1bit数值,由所述第一端与所述第二端的输出数值共同构成2bits的所述检测结果。

4.如权利要求1~3中任意一项所述的温度自检结构,其特征在于:所述分压电路还用于向所述转接电路提供多个不同值的工作电压信号;

所述控制信号包括高温使能信号、低温使能信号;

所述转换开关组还包括高温开关或低温开关,所述高温开关和所述低温开关均分别为多组场效应管的组合结构;

高温检测信号经所述高温使能信号控制的所述高温开关后、通过所述输出电路输出高压工作电压信号,低温检测信号经所述低温使能信号控制的所述低温开关后、通过所述输出电路输出低压工作电压信号;

其中,所述控制单元所产生的所述高温使能信号和所述低温使能信号均分别为8bits。

5.一种温度自检方法,用于安全芯片的温度传感,其特征在于包括预设使能信号和预设检测结果的步骤,还包括:

采集步骤:通过比较器、第一场效应管和二极管,感应温度并分配与温度同步变化的电压等级;

分压步骤:通过第二场效应管和多个串联连接的分压电阻,向开关电路输出多个不同值的电压信号;

转换开关步骤:通过至少一转换开关组,在控制信号的作用下,接通或阻断不同值的电压信号;

比较步骤:通过至少一个比较器,接收控制单元传送的预设参考电压信号以及由开关电路接通的电压信号,比较所述预设参考电压信号和接通的所述电压信号并输出比较结果;

输出步骤:通过至少一个反相器,将比较结果、以及比较结果取反后构成检测结果输出;

判断步骤:接收所述检测结果,并将所述检测结果匹配预测结果以判断温度传感通路是否受到攻击。

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