[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括：

水平电极，依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上；以及

在所述水平电极之间的水平绝缘层；以及

穿透所述堆叠结构的垂直结构，所述垂直结构中的第一垂直结构在所述单元阵列区域上，所述垂直结构中的第二垂直结构在所述延伸区域上；

其中所述垂直结构中的每个包括：

沟道层；以及

依次堆叠在所述沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层，

其中所述第一垂直结构的所述电荷存储层包括电荷存储图案，所述电荷存储图案在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且所述水平绝缘层插置在其间；以及

其中所述第二垂直结构的所述电荷存储层沿着所述水平电极的侧壁和所述水平绝缘层的侧壁延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一垂直结构的所述阻挡绝缘层包括阻挡绝缘图案，所述阻挡绝缘图案在垂直于所述衬底的所述顶表面的方向上彼此间隔开且所述水平绝缘层插置在其间；以及

其中所述第二垂直结构的所述阻挡绝缘层沿着所述水平电极的所述侧壁和所述水平绝缘层的所述侧壁延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述阻挡绝缘图案中的每个在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的宽度大于与所述阻挡绝缘图案中的每个相邻的所述水平电极在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一垂直结构的所述隧穿绝缘层和所述第二垂直结构的所述隧穿绝缘层沿着所述水平电极的所述侧壁和所述水平绝缘层的所述侧壁延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述电荷存储图案中的每个在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的宽度大于与所述电荷存储图案中的每个相邻的所述水平电极在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述水平电极中的每个在所述单元阵列区域上在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上具有第一厚度，并且在所述延伸区域上在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上具有第二厚度，以及

其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述水平电极中的每个在所述单元阵列区域与所述延伸区域之间的边界附近具有台阶结构，在该台阶结构中在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的厚度不连续地改变。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

保护半导体图案，在所述第二垂直结构的所述阻挡绝缘层的侧壁上彼此垂直地间隔开且所述水平电极插置在其间。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述保护半导体图案包括多晶硅。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述保护半导体图案被限制在所述延伸区域。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述堆叠结构包括多个堆叠结构，所述多个堆叠结构在平行于所述衬底的所述顶表面的第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此分开，

所述半导体存储器件还包括：

分隔图案，在彼此相邻的所述多个堆叠结构之间延伸；以及

突起分隔图案，在所述第二方向上从所述分隔图案突出。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述突起分隔图案在所述单元阵列区域上。