[发明专利]单光子源和QLED

说明书

本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。

本发明是申请日为2018年10月18日，申请号为201811216931.X，发明名称为《量子点、制作方法、单光子源和QLED》的发明专利的分案申请。

技术领域

本申请涉及光电领域，具体而言，涉及一种单光子源和QLED。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是一种采用量子点为发光中心的电致发光器件。量子点是分散在溶液中的无机半导体纳米晶体，因此，可通过溶液工艺加工。通常认为，无机半导体纳米晶体拥有较高的光化学稳定性。因而，QLED结合高效稳定无机发光中心和溶液加工的优势，有望实现高性能的溶液工艺LED。并且，量子点的发光波长连续可调、发光光谱半峰宽窄且色纯度高，在高色域的显示屏和高显色指数的白光光源调制方面具有独特的优势。在过去的二十多年，QLED器件的效率和寿命研究受到国内外研究者的广泛关注。

随着量子点合成化学和工艺的进步，现在研究者们已经可以大批量合成光致发光效率接近100％的量子点。结合器件结构的设计和器件工艺的优化，目前，包括红绿蓝三色的QLED电致发光外量子效率(EQE)已经超过20％。尽管QLED器件的EQE在最近5年得到了突飞猛进地提升，然而，器件的稳定性却不尽如人意，尤其是蓝光器件。到目前为止，所有报道的蓝光器件的稳定性，由初始亮度为1000cd m^-2下降到500cd m^-2的时间少于35h，即蓝光器件的半衰寿命T5035h。

QLED通常采用核壳结构的量子点，一方面，认为发光中心是稳定性优异的无机晶体；另一方面，壳层在保护发光中心的同时起到了隔离不同发光中心的作用，可以抑制激子-激子相互作用带来的发光猝灭。这些优势使得QLED在理论上可以具有优异的稳定性，而事实上目前QLED的稳定性较差，没有充分发挥出量子点作为无机晶体的稳定性优势。因此，如何提高QLED的稳定性是最重要的课题，目前很多研究者们从平衡载流子注入角度去提高QLED稳定性。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种单光子源和QLED，以解决现有技术中的量子点的表面配体在电致激发条件下与载流子发生反应和/或脱落导致的器件发光效率较低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种单光子源，包括量子点，所述量子点包括量子点本体和设置在所述量子点本体外表面的配体，所述配体包括电化学惰性配体，所述电化学惰性配体的还原电位大于所述量子点本体的导带底对应的电位，所述电化学惰性配体的氧化电位小于所述量子点本体的价带底对应的电位，所述电化学惰性配体占所述量子点本体外表面的所有配体的80％以上。

可选地，上述电化学惰性配体选自胺配体、烷基膦配体、金属羧酸盐配体、金属膦酸盐配体、无机金属盐配体和巯醇盐配体中的一种或多种；其中，上述金属羧酸盐配体选自羧酸镁配体、羧酸钙配体、羧酸铝配体、羧酸锆配体、羧酸锂配体、羧酸钠配体和羧酸钡配体中的一种或多种，上述无机金属盐配体的阴离子选自卤素离子、磷酸根离子和硫酸根离子中的一种或多种，上述无机金属盐配体的阳离子包括量子点本体表面的阳离子；优选地，上述金属羧酸盐配体和金属膦酸盐配体中的C个数小于等于22。

可选地，上述电化学惰性配体为脂肪胺配体，优选上述脂肪胺配体中的C个数在4～22之间，进一步优选上述脂肪胺配体为C个数在8～18之间的伯胺配体。