[发明专利]单光子源和QLED

权利要求书

1.一种单光子源，包括量子点，其特征在于，所述量子点包括量子点本体和设置在所述量子点本体外表面的配体，所述配体包括电化学惰性配体，所述电化学惰性配体的还原电位大于所述量子点本体的导带底对应的电位，所述电化学惰性配体的氧化电位小于所述量子点本体的价带底对应的电位，所述电化学惰性配体占所述量子点本体外表面的所有配体的80％以上。

2.根据权利要求1所述的单光子源，其特征在于，所述电化学惰性配体选自胺配体、烷基膦配体、金属羧酸盐配体、金属膦酸盐配体、无机金属盐配体和巯醇盐配体中的一种或多种；其中，所述金属羧酸盐配体选自羧酸镁配体、羧酸钙配体、羧酸铝配体、羧酸锆配体、羧酸锂配体、羧酸钠配体和羧酸钡配体中的一种或多种，所述无机金属盐配体的阴离子选自卤素离子、磷酸根离子和硫酸根离子中的一种或多种，所述无机金属盐配体的阳离子包括量子点本体表面的阳离子；优选地，所述金属羧酸盐配体和金属膦酸盐配体中的C个数小于等于22。

3.根据权利要求2所述的单光子源，其特征在于，所述电化学惰性配体为脂肪胺配体，优选所述脂肪胺配体中的C个数在4～22之间，进一步优选所述脂肪胺配体为C个数在8～18之间的伯胺配体。

4.根据权利要求1所述的单光子源，其特征在于，所述电化学惰性配体占所述量子点本体外表面的所有配体的90％以上，优选100％。

5.根据权利要求1所述的单光子源，其特征在于，所述量子点本体包括量子点核和包裹所述量子点核的壳体。

6.一种QLED器件，包括量子点，其特征在于，所述量子点包括量子点本体和设置在所述量子点本体外表面的配体，所述配体包括电化学惰性配体，所述电化学惰性配体的还原电位大于所述量子点本体的导带底对应的电位，所述电化学惰性配体的氧化电位小于所述量子点本体的价带底对应的电位，所述电化学惰性配体占所述量子点本体外表面的所有配体的80％以上。

7.根据权利要求6所述的QLED器件，其特征在于，所述电化学惰性配体选自胺配体、烷基膦配体、金属羧酸盐配体、金属膦酸盐配体、无机金属盐配体和巯醇盐配体中的一种或多种；其中，所述金属羧酸盐配体选自羧酸镁配体、羧酸钙配体、羧酸铝配体、羧酸锆配体、羧酸锂配体、羧酸钠配体和羧酸钡配体中的一种或多种，所述无机金属盐配体的阴离子选自卤素离子、磷酸根离子和硫酸根离子中的一种或多种，所述无机金属盐配体的阳离子包括量子点本体表面的阳离子；优选地，所述金属羧酸盐配体和金属膦酸盐配体中的C个数小于等于22。

8.根据权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述电化学惰性配体为脂肪胺配体，优选所述脂肪胺配体中的C个数在4～22之间，进一步优选所述脂肪胺配体为C个数在8～18之间的伯胺配体。

9.根据权利要求6所述的QLED器件，其特征在于，所述电化学惰性配体占所述量子点本体外表面的所有配体的90％以上，优选100％。

10.根据权利要求6所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点本体包括量子点核和包裹所述量子点核的壳体。