[发明专利]一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置在审

专利信息
申请号: 202010978877.3 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112647135A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 赵浩;李洪武;周丽;丁立军;王挺;许聚武;陈晟;习聪玲 申请(专利权)人: 嘉兴学院
主分类号: C30B33/12 分类号: C30B33/12;C30B29/06
代理公司: 北京化育知识产权代理有限公司 11833 代理人: 涂琪顺
地址: 314001 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 自动 定位 传感器 单晶硅 刻蚀 装置
【说明书】:

本发明公开了一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置,包括反应室本体,所述反应室本体内设置有片架,所述反应室本体上固定安装有片架旋转机构,所述片架旋转机构的动力输出轴与片架固定连接,所述片架的轴线、片架旋转机构的动力输出轴的轴线与反应室本体的轴线相重合,所述反应室本体的内壁上固定安装有若干独立定位组件,若干所述独立定位组件可伸缩且可与片架相接触。本发明通过独立控制的定位组件和实时验证组件可实现对片架进行实时的自动定位,并可自动适应在一定范围内不同规格的片架,可大幅提升定位的准确性,确保了片架处于反应室本体的轴线位置,通用性强,可大幅提升片架中多个单晶硅刻蚀加工的精度。

技术领域

本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置。

背景技术

传感器用单晶硅在加工过程中,均需对其进行刻蚀处理;现有的刻蚀加工过程中,其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上,并通过向片架所在位置导入反应气体,并使得反应气体在电场环境下产生等离子体,以对单晶硅进行刻蚀;片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度,然而,片架的旋转可能导致其发生偏移,从而造成单晶硅与等离子之间的接触不均,进而影响其刻蚀效果。

为了解决上述问题,公布号为CN104975350A的中国专利公开了传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其记载了通过多个支撑杆件对片架进行定位处理,使得其始终处于反应室的轴线位置,从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。

但是上述技术方案仍存在以下缺陷:其一是在实际的使用过程中,支撑杆与其他结构的配合存在误差,并缺乏验证机制,无法准确得知片架是否处于反应室的轴线位置,即便发生了误差,也不易进行校对;其二是不便于组装和调试,通用性较差,无法根据不同的片架进行调整。

因此,针对上述技术问题,有必要提供一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置,以解决上述的问题。

为了实现上述目的,本发明一实施例提供的技术方案如下:

一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置,包括反应室本体,所述反应室本体内设置有片架,所述反应室本体上固定安装有片架旋转机构,所述片架旋转机构的动力输出轴与片架固定连接,所述片架的轴线、片架旋转机构的动力输出轴的轴线与反应室本体的轴线相重合;

所述反应室本体的内壁上固定安装有若干独立定位组件,若干所述独立定位组件可伸缩且可与片架相接触,所述反应室本体上还安装有实时验证组件,所述实时验证组件用于实时验证片架所处的位置。

进一步地,所述独立定位组件包括固定安装在反应室本体内壁上的独立控制座和固定安装在独立控制座上的伸缩杆。

进一步地,所述伸缩杆远离独立控制座的一端安装有滚珠,所述滚珠的表面设置有抛光层。

进一步地,所述实时验证组件包括主动检测环和与主动检测环相匹配的反射组件,所述主动检测环上设置有若干主动发光点,所述主动发光点的密度为2个每平面毫米以上。

进一步地,所述主动发光点发出光线的类型为红外光或常见光。

进一步地,所述反应室本体包括顶板和底板,所述反射组件固定连接在顶板上,所述主动检测环固定连接在底板上。

进一步地,所述底板上开设有环形通孔,所述环形通孔与主动检测环相匹配,所述环形通孔上固定安装有透明环。

进一步地,所述主动检测环的下端固定安装有主控设备,所述主控设备与主动检测环和若干独立定位组件均电性连接。

进一步地,所述主控设备上设置有状态显示屏,所述状态显示屏的屏幕类型为IPS。

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