[发明专利]一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置

权利要求书

1.一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室本体(1)，所述反应室本体(1)内设置有片架(4)，其特征在于，所述反应室本体(1)上固定安装有片架旋转机构(5)，所述片架旋转机构(5)的动力输出轴与片架(4)固定连接，所述片架(4)的轴线、片架旋转机构(5)的动力输出轴的轴线与反应室本体(1)的轴线相重合；

所述反应室本体(1)的内壁上固定安装有若干独立定位组件，若干所述独立定位组件可伸缩且可与片架(4)相接触，所述反应室本体(1)上还安装有实时验证组件，所述实时验证组件用于实时验证片架(4)所处的位置。

2.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述独立定位组件包括固定安装在反应室本体(1)内壁上的独立控制座(6)和固定安装在独立控制座(6)上的伸缩杆(7)。

3.根据权利要求2所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述伸缩杆(7)远离独立控制座(6)的一端安装有滚珠(8)，所述滚珠(8)的表面设置有抛光层。

4.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述实时验证组件包括主动检测环(10)和与主动检测环(10)相匹配的反射组件(11)，所述主动检测环(10)上设置有若干主动发光点，所述主动发光点的密度为2个每平面毫米以上。

5.根据权利要求4所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述主动发光点发出光线的类型为红外光或常见光。

6.根据权利要求1或4所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室本体(1)包括顶板(101)和底板(102)，所述反射组件(11)固定连接在顶板(101)上，所述主动检测环(10)固定连接在底板(102)上。

7.根据权利要求6所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述底板(102)上开设有环形通孔，所述环形通孔与主动检测环(10)相匹配，所述环形通孔上固定安装有透明环(9)。

8.根据权利要求4所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述主动检测环(10)的下端固定安装有主控设备(12)，所述主控设备(12)与主动检测环(10)和若干独立定位组件均电性连接。

9.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述主控设备(12)上设置有状态显示屏(13)，所述状态显示屏(13)的屏幕类型为IPS。

10.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室本体(1)的上端设置有送气管道(2)，所述反应室本体(1)的下端设置有抽气管道(3)。