[发明专利]包括电阻器元件的半导体装置在审
申请号: | 202010978014.6 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN113540071A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 尹灿浩 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电阻器 元件 半导体 装置 | ||
包括电阻器元件的半导体装置。一种半导体装置包括:第一焊盘,其限定在第一芯片的一个表面上;第二焊盘,其限定在层叠在第一芯片上的第二芯片的一个表面上,并且结合到第一焊盘;第一电阻器元件,其限定在第一芯片中并且联接到第一焊盘;以及第二电阻器元件,其限定在第二芯片中并且联接到第二焊盘。
技术领域
各种实施方式总体上涉及半导体技术,更具体地,涉及一种包括电阻器元件的半导体装置。
背景技术
电阻器元件用在半导体装置中的例如信号延迟电路、高压稳定电路、基准电压发生电路和静态放电(ESD)保护电路的各种电路中。随着半导体装置越来越高度集成,电阻器元件所占据的面积的比例(用于确定半导体装置的尺寸)也在增加。
发明内容
各种实施方式涉及能够减小半导体装置中的分配给电阻器元件的面积的措施,从而有助于半导体装置的更大集成度。
另外,各种实施方式涉及能够抑制由于电阻器元件的存在而发生故障的措施。
在实施方式中,一种半导体装置可包括:第一焊盘,其限定在第一芯片的一个表面上;第二焊盘,其限定在层叠在第一芯片上的第二芯片的一个表面上,并且结合到第一焊盘;第一电阻器元件,其限定在第一芯片中并且联接到第一焊盘;以及第二电阻器元件,其限定在第二芯片中并且联接到第二焊盘。
在实施方式中,一种半导体装置可包括:第一焊盘,其限定在第一芯片的一个表面上;第二焊盘,其限定在沿第一方向层叠在第一芯片上的第二芯片的一个表面上,并且结合到第一焊盘;第一垂直电阻器图案,其限定在第一芯片中并且联接到第一焊盘,其在第一方向上延伸;以及第二垂直电阻器图案,其限定在第二芯片中并且联接到第二焊盘,其在第一方向上延伸。
在实施方式中,一种半导体装置可包括:第一焊盘,其限定在第一芯片的一个表面上;第二焊盘,其限定在沿第一方向层叠在第一芯片上的第二芯片的一个表面上,并且结合到第一焊盘;第一水平电阻器图案,其限定在第一芯片的所述一个表面上并且联接到第一焊盘;以及第二水平电阻器图案,其限定在第二芯片的所述一个表面上并且联接到第二焊盘。
在实施方式中,一种半导体装置可包括:多个第一焊盘,其限定在第一芯片的一个表面上;多个第二焊盘,其限定在沿第一方向层叠在第一芯片上的第二芯片的一个表面上,并且分别结合到所述多个第一焊盘;多个第一垂直电阻器图案,其限定在第一芯片中并且分别联接到所述多个第一焊盘,其在第一方向上延伸;多个第二垂直电阻器图案,其限定在第二芯片中并且分别联接到所述多个第二焊盘,其在第一方向上延伸;第一布线,其将所述多个第一垂直电阻器图案当中的一对第一垂直电阻器图案联接;以及第二布线,其将所述多个第二垂直电阻器图案当中的一对第二垂直电阻器图案联接。所述多个第一垂直电阻器图案、所述多个第二垂直电阻器图案、所述多个第一焊盘、所述多个第二焊盘、第一布线和第二布线可彼此联接并且被布置为形成蛇状形状。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的表示的横截面图。
图2、图3和图4是示出根据本公开的其它实施方式的半导体装置的表示的横截面图。
图5是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的示例的表示的框图。
图6是示意性地示出包括根据本公开的实施方式的半导体装置的存储器系统的框图。
图7是示意性地示出包括根据本公开的实施方式的半导体装置的计算系统的框图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现它们的方法将从以下参照附图描述的示例性实施方式的描述而变得显而易见。然而,本公开不限于本文所公开的示例性实施方式,而是可按照各种方式实现。本公开的示例性实施方式向本领域技术人员传达本公开的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的