[发明专利]包括电阻器元件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一焊盘，该第一焊盘限定在第一芯片的一个表面上；

第二焊盘，该第二焊盘限定在层叠在所述第一芯片上的第二芯片的一个表面上，并且结合到所述第一焊盘；

第一电阻器元件，该第一电阻器元件限定在所述第一芯片中并且联接到所述第一焊盘；以及

第二电阻器元件，该第二电阻器元件限定在所述第二芯片中并且联接到所述第二焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列限定在所述第一芯片中；

第三焊盘，该第三焊盘设置在所述第一芯片的所述一个表面上并且联接到所述存储器单元阵列；

行解码器和页缓冲器电路，该行解码器和该页缓冲器电路限定在所述第二芯片中；以及

第四焊盘，该第四焊盘设置在所述第二芯片的所述一个表面上，联接到所述行解码器和所述页缓冲器电路中的一个，并且结合到所述第三焊盘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述存储器单元阵列包括：

多个电极层和多个层间介电层，所述多个电极层和所述多个层间介电层交替地层叠在所述第一芯片的基板上；以及

多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿过所述电极层和所述层间介电层。

4.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一焊盘，该第一焊盘限定在第一芯片的一个表面上；

第二焊盘，该第二焊盘限定在沿第一方向层叠在所述第一芯片上的第二芯片的一个表面上，并且结合到所述第一焊盘；

第一垂直电阻器图案，该第一垂直电阻器图案限定在所述第一芯片中并且联接到所述第一焊盘，该第一垂直电阻器图案在所述第一方向上延伸；以及

第二垂直电阻器图案，该第二垂直电阻器图案限定在所述第二芯片中并且联接到所述第二焊盘，该第二垂直电阻器图案在所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一垂直电阻器图案和所述第二垂直电阻器图案在所述第一方向上彼此交叠。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

包括在所述第一芯片中的第一外围电路；以及

包括在所述第二芯片中的第二外围电路，

其中，所述第一垂直电阻器图案在所述第一方向上与所述第一外围电路和所述第二外围电路中的至少一个交叠。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

包括在所述第一芯片中的第一外围电路；以及

包括在所述第二芯片中的第二外围电路，

其中，所述第二垂直电阻器图案在所述第一方向上与所述第一外围电路和所述第二外围电路中的至少一个交叠。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第一栅极电阻器图案，该第一栅极电阻器图案设置在所述第一芯片的基板上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一栅极电阻器图案在所述第一方向上与所述第一垂直电阻器图案和所述第二垂直电阻器图案中的至少一个交叠。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第二栅极电阻器图案，该第二栅极电阻器图案设置在所述第二芯片的基板上并且联接到所述第二垂直电阻器图案。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二栅极电阻器图案在所述第一方向上与所述第一垂直电阻器图案和所述第二垂直电阻器图案中的至少一个交叠。