[发明专利]扇出型封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供支撑衬底，于所述支撑衬底上形成分离层；

于所述分离层上形成钝化层，所述钝化层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

提供半导体芯片，所述半导体芯片位于所述钝化层的第二面上，且所述半导体芯片的背面与所述钝化层相键合，所述半导体芯片的正面远离所述钝化层的第二面；

采用封装层封装所述钝化层及半导体芯片，且所述封装层显露所述半导体芯片的焊盘；

于所述封装层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述封装层相接触的第一面及相对的第二面，且所述重新布线层与所述半导体芯片的焊盘电连接；

于所述重新布线层的第二面上形成第一金属凸块，且所述第一金属凸块与所述重新布线层电连接；

提供承载体，并剥离所述支撑衬底，以显露出所述钝化层的第一面；

对所述钝化层及封装层进行激光刻蚀，以形成凹槽，且所述凹槽显露所述重新布线层中的金属布线层；

于所述凹槽中形成第二金属凸块，且所述第二金属凸块与所述重新布线层电连接；

提供转接板，所述转接板位于所述钝化层的第一面上，且所述转接板与所述第二金属凸块电连接；

提供堆叠芯片封装体及被动元件，所述堆叠芯片封装体及被动元件位于所述转接板上，且所述堆叠芯片封装体及被动元件均与所述转接板电连接；

采用填充层，填充所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间的间隙；

进行切割，以形成扇出型封装结构。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装方法，其特征在于：在形成所述填充层之后及进行切割前，还包括采用塑封层封装所述转接板、堆叠芯片封装体及被动元件的步骤。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装方法，其特征在于：所述第二金属凸块的高度大于所述半导体芯片的高度。

4.根据权利要求1所述的扇出型封装方法，其特征在于：所述堆叠芯片封装体包括ePoP存储器。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装方法，其特征在于：所述被动元件包括电阻、电容及电感中的一种或组合。

6.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；

钝化层，所述钝化层包括相对的第一面及第二面；

半导体芯片，位于所述钝化层的第二面及所述重新布线层的第一面之间，且所述半导体芯片的背面与所述钝化层的第二面相键合，所述半导体芯片的正面远离所述钝化层且与所述重新布线层电连接；

封装层，位于所述钝化层的第二面及所述重新布线层的第一面之间，覆盖所述钝化层、重新布线层及半导体芯片；

凹槽，所述凹槽贯穿所述钝化层及封装层，以显露所述重新布线层中的金属布线层；

第一金属凸块，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电连接；

第二金属凸块，位于所述凹槽中，且与所述重新布线层电连接；

转接板，位于所述钝化层的第一面上，且与所述第二金属凸块电连接；

堆叠芯片封装体及被动元件，位于所述转接板上，且与所述转接板电连接；

填充层，位于所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间，且填满所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间的间隙。

7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于：还包括覆盖所述转接板、堆叠芯片封装体及被动元件的塑封层。

8.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述第二金属凸块的高度大于所述半导体芯片的高度。

9.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述堆叠芯片封装体包括ePoP存储器；所述被动元件包括电阻、电容及电感中的一种或组合。

10.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种；所述填充层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。