[发明专利]一种多芯片封装结构

说明书

本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散热水槽设于发光芯片的底部；所述散热底座内设有第一通风槽；所述发光芯片设有与第一通风槽连通的第二通风槽；所述封装座设有与第二通风槽连通的第三通风槽。本发明通过在散热底座设置冷却液以及第一通风槽，能够大大地提高了多芯片封装结构的散热效果。

技术领域

本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构。

背景技术

与传统光源相比LED具有体积小、重量轻、结构坚固、工作电压低、使用寿命长以及节能环保等优点，近年来在许多领域特别是照明领域得到了广泛的应用。

然而，LED灯的散热是一个突出性问题，散热不好会导致LED结温上升，进而导致发热量大、发光效率低以及使用寿命降低等问题。

LED灯的温升受多方面的影响，除了LED发光元件的自身性能外，LED基板的散热能力是一个的重要因素，其次是LED封装的导热性能和LED灯的对外散热性能，特别对于多芯片的封装，由于工作效率大，发热量大并且难以进行散热。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种多芯片封装结构，保持光效并且散热效果优秀。

本发明的目的通过以下技术方案实现：一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；

所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散热水槽设于发光芯片的底部；

所述散热底座内设有第一通风槽；所述发光芯片设有与第一通风槽连通的第二通风槽；所述封装座设有与第二通风槽连通的第三通风槽。

本发明进一步设置为，所述发光芯片包括金属衬底以及设于金属衬底顶部的缓冲层；所述缓冲层的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层；所述N-GaAs纳米棒层的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层；所述多量子阱有源层的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层；所述N-GaAs纳米棒层延伸有N型电极；所述P-GaAs纳米棒层延伸有P型电极；

所述发光芯片还包括微透镜；所述缓冲层、N-GaAs纳米棒层、多量子阱有源层以及P-GaAs纳米棒层均设于微透镜与金属衬底之间；

所述微透镜包括设于中部的球形面、设于球形面两侧的锥面以及设于锥面远离球形面一侧的非球面；所述N-GaAs纳米棒层设于球形面中部的正下方；所述多量子阱有源层设于锥面中部的正下方。

本发明进一步设置为，所述第二通风槽设于金属衬底内；所述散热水槽设于金属衬底的底部；所述第三通风槽设于相邻两个发光芯片之间。

本发明进一步设置为，所述封装座的顶部设有多个与发光芯片对应设置的光学透镜；所述光学透镜的中部向内凹陷形成有凹槽。

本发明进一步设置为，所述散热底座的底部设有多个散热鳍片。

本发明进一步设置为，所述散热鳍片的两侧均设有波浪纹。

本发明进一步设置为，所述多量子阱有源层包括V形部以及与V形部连接的梯形部；所述V形部靠近P-GaAs纳米棒层设置；所述梯形部靠近N-GaAs纳米棒层设置。

本发明进一步设置为，所述封装座由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：

A组分

B组分

第二端乙烯基硅油 100份