[发明专利]一种多芯片封装结构

权利要求书

1.一种多芯片封装结构，其特征在于：包括散热底座(1)以及与散热底座(1)连接的封装座(2)；所述封装座(2)内设有多个发光芯片(3)；

所述散热底座(1)内设有循环水槽(11)；所述循环水槽(11)内设有冷却液；所述散热底座(1)设有与循环水槽(11)连通的散热水槽(12)；所述散热水槽(12)设于发光芯片(3)的底部；

所述散热底座(1)内设有第一通风槽(41)；所述发光芯片(3)设有与第一通风槽(41)连通的第二通风槽(42)；所述封装座(2)设有与第二通风槽(42)连通的第三通风槽(43)；

循环水槽(11)以水管的方式穿设在各个第一通风槽(41)中；第一通风槽(41)与循环水槽(11)之间设有密封槽；

所述发光芯片(3)包括金属衬底(31)以及设于金属衬底(31)顶部的缓冲层(32)；所述缓冲层(32)的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层(51)；所述N-GaAs纳米棒层(51)的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层(52)；所述多量子阱有源层(52)的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层(53)；所述N-GaAs纳米棒层(51)延伸有N型电极(54)；所述P-GaAs纳米棒层(53)延伸有P型电极(55)；

所述发光芯片(3)还包括微透镜(6)；所述缓冲层(32)、N-GaAs纳米棒层(51)、多量子阱有源层(52)以及P-GaAs纳米棒层(53)均设于微透镜(6)与金属衬底(31)之间；

所述微透镜(6)包括设于中部的球形面(61)、设于球形面(61)两侧的锥面(62)以及设于锥面(62)远离球形面(61)一侧的非球面(63)；所述N-GaAs纳米棒层(51)设于球形面(61)中部的正下方；所述多量子阱有源层(52)设于锥面(62)中部的正下方；

所述第二通风槽(42)设于金属衬底(31)内；所述散热水槽(12)设于金属衬底(31)的底部；所述第三通风槽(43)设于相邻两个发光芯片(3)之间；

所述多量子阱有源层(52)包括V形部(91)以及与V形部(91)连接的梯形部(92)；所述V形部(91)靠近P-GaAs纳米棒层(53)设置；所述梯形部(92)靠近N-GaAs纳米棒层(51)设置；

所述封装座(2)由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：

A组分

B组分

第二端乙烯基硅油 100份

MQ硅树脂 30-40份

铂催化剂 0.2-0.4份；

其中，所述A组分和B组分的重量配比为1∶1；

其中，所述复合填料通过如下方法制得：

(1)将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散20-30min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散3-5min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至80-90℃后保温反应5-7h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5-6∶2-3∶100；

(2)将去离子水升温至80-90℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至80-90℃，在10000-12000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在500-700r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为60-80∶20-30∶1-3∶5-9∶5-9；

(3)将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行第一次辐照，辐照剂量为10-20kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后继续进行辐照，辐照剂量为10-15kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.1-0.2MPa，喷雾入口温度为130-150℃，喷雾出口温度为50-70℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2-3∶10。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述封装座(2)的顶部设有多个与发光芯片(3)对应设置的光学透镜(7)；所述光学透镜(7)的中部向内凹陷形成有凹槽(71)。