[发明专利]一种PERC电池片的制备方法

权利要求书

1.一种PERC电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洗去除原硅片的切割损失层及金属杂质，制绒形成金字塔绒面层，去除原硅片的切割损失层及金属杂质的重量为0.58g；

（2）将制绒后的单晶硅片置入扩散设备中进行扩散制结，形成PN结层，在扩散后的单晶硅片PN结层表面进行激光推进，PN结层表面方阻为160Ω，激光推进深度0.05μm，线宽为130μm；

（3）将激光推进后的单晶硅片进行刻蚀清洗，去除边缘的磷硅玻璃，并将单晶硅片背面进行抛光，去除背面的PN结层，刻蚀减薄量为0.35g；

（4）对抛光后的单晶硅片背面进行Al₂O₃原子沉积，形成背钝化；

（5）将背钝化后的单晶硅片进行正面镀膜，正面镀膜形成氮化硅层的厚度为82nm，折射率为2.6；

（6）将正面镀膜后的单晶硅片进行背面镀膜，背面镀膜形成氮化硅层的厚度为200nm，折射率为2.5，背面镀膜具体步骤为：

1)将正面镀膜后的单晶硅片放置在管式炉中，通入氮气，对管式炉内进行稳压和保温，氮气通入流量为5000sccm，控制管式炉内压力为2000mtorr，保温温度为550℃，保温时间为600s；

2)通入氨气，同时打开管式炉的脉冲开关进行预沉积，氨气通入流量为5000sccm，控制管式炉内压力为2000mtorr，预沉积温度为550℃，预沉积时间为100s；

3)继续通入氨气，同时通入硅烷进行沉积，通入硅烷和氨气的体积比为1:10控制管式炉内压力为2500mtorr，沉积温度为550℃，沉积时间为1200s；

（7）将背面镀膜后的单晶硅片进行激光开槽，激光开槽的激光图形虚实比为1:1，栅线根数为160根；

（8）在激光开槽后的单晶硅片正面印刷银浆，经过高温烧结，烧结峰值温度为1000℃，制得PERC电池片，印刷过程使用的网版图形副栅线与SE推进层形成的槽方向是平行的，最后印刷形成正电极即相互垂直的主栅电极与细栅电极。